如今，MEMS振荡器对石英构成了严峻的挑战。我们着眼于《Sand 9》的方法最近但当我翻看最近发布的其他公告时，我偶然发现了一份公告，其中有一些相关内容可以讨论。
Silicon Labs此前的公告主要关注他们工作的CMOS+MEMS方面。当时，我没有看到任何我可以补充到讨论中的东西，所以我让公告靠自己。但是根据我在《Sand 9》的发行中所提到的一些问题，我认为在Silicon Labs的故事中有一些事情需要重新讨论——其中一些在他们的发行中并没有立即显现出来。
这与温度补偿有关，这似乎是这些设备的头号问题。是的，每个人都试图用电路来补偿，但如果你能尽量减少原始温度的影响，那么补偿就更容易了。
我们观察了Sand 9为此构建的堆栈——硅和氧化物具有相反的温度系数，因此在物理上相互补偿。好吧，Silicon Labs做了一些类似但不完全相同的事情。
他们使用SiGe作为谐振器的活性材料，但他们用SiO作为支撑2，这再次与SiGe的温度特性相反。
这里的另一个微妙之处与CMOS处理方面有关，尽管再次强调，这似乎是完成同一件事情的两种不同方式。Sand 9讨论了在同一个封装中具有补偿ASIC的重要性，以便ASIC与它所补偿的传感器经历相同的温度。
通过Silicon Labs的方法，这是将MEMS和CMOS结合在同一个芯片上的直接结果:补偿电路不仅仅是在传感器旁边;它和传感器在同一个模具上。它和传感器的温度是一样的。它可能更接近，尽管在某些时候，如果你开始争论实际骰子上的热点，你可能会质疑单片集成是否能保证更好的补偿。这取决于器件在芯片上的位置以及电路的“热”程度。因此，整体补偿是否实际上比精心设计的逐模解决方案更有效仍有待证明。
您可以在Silicon Labs的流程中找到更多信息在这里．
