Imec最近发布了一份新闻稿,早些时候提到了“无结晶体管”。在我的记忆中,晶体管总是有连接的。所以我完全锁定在无结晶体管到底意味着什么这个问题上。
上周访问他们的网站时,我有机会问他们。它不仅简单,而且与发布的重点无关。他们所谓的无结晶体管可能在我上学的时候被简单地称为JFET。只是做得不同而已。他们在“半绝缘硅”(当然,不要与半导体硅混淆)上铺设了一层非常薄的GeSn。然后他们在上面放了一个鳍。这创造了一个耗尽模式,或常开,FET,与鳍控制是否通道传导或不。
概念上很简单。但整件事的重点是他们是如何创建GeSn通道的。在锗中加入锡显然不那么容易。溶解性很低,如果在这个过程中温度过高,锡就会四处迁移并聚集成块,而不是均匀地分散在整个过程中。
他们提出了一种相对低温的固相外延工艺来实现这一目标。固相外延是一种过程,它涉及到将所需材料铺设成非晶态版本,然后对该层进行退火使其结晶。
这样做的好处是,锡增加了迁移率,但锡也会影响带隙,增加了更直接的带隙特性,这有助于led和其他光子应用。这个想法是这样的设备可以在与普通硅晶体管相同的芯片上构建,或者见鬼,你可能会用这个来构建它们,依赖于需要的激光能力。这将提供更好的集成光子和计算域之间的过渡。
你可以在他们的释放.