英飞凌科技OptiMOS™5功率场效应管gydF4y2Ba

扩大gydF4y2Ba

英飞凌OptiMOS™5功率场效应管的设计满足要求,提高系统效率,同时降低系统成本。这些设备的功能降低RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}和品质因数(RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}x问gydF4y2Ba_ggydF4y2Ba)相比,替代设备。它们被设计使用硅技术,优化,以满足和超过能源效率和功率密度的要求。典型应用这些场效电晶体包括服务器、数据,计算机行业和客户端应用程序。它们也可以用于同步整流开关电源(smp)和运动控制、太阳能生产l型逆变器a和快速切换直流/直流转换器的应用程序。gydF4y2Ba

资源gydF4y2Ba

25 v和30 v电力mosfetgydF4y2Ba

英飞凌OptiMOS™5 25 v和30 v功率场效应管提供基准的解决方案通过使功率密度和能源效率最高,在待机和全面运作。这些场效电晶体硅技术的基础上,优化,以满足和超过能源效率和功率密度的要求。gydF4y2Ba

这些是基于加强新一代直流/直流电压调整标准应用程序。OptiMOS™5产品地址范围广泛的电压调整应用程序在计算机行业。这包括服务器、数据通信,客户端应用程序而专注于英特尔的VR和IMVP平台。gydF4y2Ba

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特性gydF4y2Ba

最佳使用状态的阻力gydF4y2Ba
基准图优点R切换性能(最低gydF4y2Ba_在gydF4y2Bax问gydF4y2Ba_ggydF4y2Ba和RgydF4y2Ba_在gydF4y2Bax问gydF4y2Ba_gdgydF4y2Ba)gydF4y2Ba
通过无铅认证和无卤gydF4y2Ba
优化EMI行为(综合阻尼网络)gydF4y2Ba
最高的效率gydF4y2Ba
最高功率密度与S3O8或权力集团包gydF4y2Ba
降低整个系统的成本gydF4y2Ba
在高开关频率操作gydF4y2Ba

应用程序gydF4y2Ba

桌面和服务器gydF4y2Ba
Singlephase和多相波尔gydF4y2Ba
CPU / GPU电压调节笔记本gydF4y2Ba
高功率密度电压调节器gydF4y2Ba
和inggydF4y2Ba
E-fusegydF4y2Ba

系统效率gydF4y2Ba

40 v和60 v电力mosfetgydF4y2Ba

英飞凌OptiMOS™80 v和100 v电力mosfet特别设计在电信和服务器同步整流电源。这些设备也可以用于其他工业应用,如太阳能、低电压驱动,和适配器。gydF4y2Ba

提供七种不同的包,OptiMOS™80 v和100 v mosfet提供较低的RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}。这个行业领先的最重要的贡献者之一FOM的低开态阻力值低至2.7 mΩ超级8包,提供最高水平的功率密度和效率。gydF4y2Ba

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特性gydF4y2Ba

优化同步整流gydF4y2Ba
适合高开关频率gydF4y2Ba
输出电容提高至多44%gydF4y2Ba
RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}从上一代减少高达43%gydF4y2Ba
系统最高效率gydF4y2Ba
减少切换和传导损失gydF4y2Ba
少需要并联gydF4y2Ba
增加功率密度gydF4y2Ba
5 v低电压超调gydF4y2Ba

应用程序gydF4y2Ba

电信gydF4y2Ba
服务器gydF4y2Ba
太阳能gydF4y2Ba
低电压驱动gydF4y2Ba
轻型电动车辆gydF4y2Ba
适配器gydF4y2Ba

RDS(上)比较gydF4y2Ba

80 v和100 v电力mosfetgydF4y2Ba

英飞凌OptiMOS™5 150 v功率场效应管适用于低电压驱动叉车,e-scooters、电信、和太阳能应用。150 v场效电晶体提供了一个减少高达25%的RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}和问gydF4y2Ba_rrgydF4y2Ba在不影响FOMgd。这减少了设计工作和优化系统效率。超低反向恢复电荷(问最低gydF4y2Ba_rrgydF4y2Ba在SuperSO8 = 26 nc)变换强度增加。gydF4y2Ba

OptiMOS 5 150 v技术使较小的一流SuperSO8 (PQFN 5 x6)包设备来取代- 220的替代品。开关提供更高的功率密度和更低的电压过冲(VDS)由于电感降低包。gydF4y2Ba