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目标EV应用二极管的高电流额定TOLL mosfet

德克萨斯州普莱诺- 2021年11月11日- Diodes Incorporated(纳斯达克股票代码:DIOD)推出了一个汽车mosfet组合,封装在节省空间、高效的TOLL (PowerDI®1012-8)封装中。工作温度可达175°C,额定100vDMTH10H1M7STLWQDMTH10H2M5STLWQ,加上80v额定DMTH8001STLWQmosfet比TO263占用的PCB面积少20%。这些设备的特点是板外轮廓只有2.4毫米。这使得它们非常适合用于高可靠性的电源应用,如能量回收、集成起动发电机和电池车辆中的DC-DC转换器。

TOLL封装通过夹接实现低封装电阻和降低寄生封装电感,使DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ和DMTH10H2M5STLWQ在10V栅驱动器上分别实现1.3mΩ、1.4mΩ和1.68mΩ的典型通电阻。此外,低寄生封装电感提高了电路的电磁干扰性能。

由于焊料接触面积比TO263大50%,TOLL封装使结壳热阻抗达到0.65°C/W,使这些mosfet能够处理高达270A的电流。他们的镀锡梯形槽引线有助于促进自动光学检查(AOI)程序。这些mosfet是合格的AEC-Q101, PPAP能力,并在IATF 16949认证的设施制造。

对于10,000件的数量DMTH10H1M7STLWQ单位成本为2.36美元;的DMTH8001STLWQ单位成本为2.36美元;和DMTH10H2M5STLWQ单位成本为2美元。

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