德国慕尼黑- 2022年5月10日-对高功率密度的需求不断增长,正推动开发人员采用1500 V直流在它们的应用中链接,以增加每逆变器的额定功率,降低系统成本。然而,1500伏直流基于的系统也对系统设计提出了更多的挑战,例如在高直流电压下的快速开关,这通常需要多级拓扑。这导致了复杂的设计和相对大量的组件。为了应对这一挑战,英飞凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天推出了扩展的CoolSiC™产品组合,包括高压解决方案,为下一代产品提供基础光伏,电动汽车充电而且储能系统.
扩展的CoolSiC产品组合提供2kV碳化硅(SiC) mosfet,以及一个2kV SiC二极管,适用于最高1500 V的应用直流.新的SiC MOSFET在一个器件中结合了低开关损耗和高阻塞电压,可以最佳地满足1500 V的要求直流系统。新的2 kV CoolSiC技术提供了低漏源电阻(RDS(上))值。此外,坚固的二极管体适用于硬开关。该技术具有足够的过电压裕度,与1700 V SiC mosfet相比,宇宙射线引起的FIT率降低了10倍。此外,扩展的栅极电压工作范围使设备易于使用。
这款新型SiC MOSFET芯片基于英飞凌最近推出的先进SiC MOSFET技术M1H。最新的进展使一个显著更大的栅极电压窗口,提高了给定尺寸的导通电阻。同时,更大的栅极电压窗对栅极上与驱动器和布局相关的电压峰值具有较高的鲁棒性,即使在高开关频率下也没有任何限制。英飞凌提供一系列功能隔离高达2.3 kV的EiceDRIVER™栅极驱动器,以支持2 kV SiC mosfet。
可用性
2 kV CoolSiC mosfet样品现在可在EasyPACK™3B和62毫米模块中使用,以后还可在新的高压离散TO247-PLUS封装中使用。此外,英飞凌还提供了具有2.3 kV隔离能力的EiceDRIVER嵌入式生态系统。Easy 3B (DF4-19MR20W3M1HF_B11)是一种具有4个升压电路的功率模块,作为1500 V PV串逆变器的MPPT级,计划于2022年第三季度开始生产,62毫米模块为半桥配置(3,4,6 mΩ)将于2022年第四季度开始生产。采用最新获奖的. xt互连技术的分立设备将于2022年底上市。更多信息请访问www.infineon.com/CoolSiC.
英飞凌在PCIM 2022
在2022年PCIM上,英飞凌将为应用提供创新的产品到系统解决方案,这些应用将为世界提供动力,塑造未来。公司代表还在PCIM会议和工业与电子交通论坛上进行了几次现场和点播视频演示,随后与演讲者进行了讨论。“体验动力的差异”在7号展厅英飞凌412号展位举行(2022年5月10日至12日,德国纽伦堡)。有关PCIM展览的详情,请浏览www.infineon.com/pcim.
更多关于英飞凌对能源效率的贡献:www.infineon.com/green-energy