新闻亮点

• 工艺和包装创新路线图，推动2025年及以后的下一波产品。
• 两项突破性的工艺技术:RibbonFET，英特尔十多年来首个新型晶体管架构，以及PowerVia，业界首创的后端电源传输技术。
• 继续领导先进的3D包装创新与fooveros Omni和fooveros Direct。
• 随着英特尔进入半导体的埃时代，新的节点命名为客户和行业创建一致的框架，更准确地查看工艺节点。
• 英特尔代工服务(IFS)的强劲势头与第一个客户宣布。

加利福尼亚州圣克拉拉7月26日消息——英特尔公司今天公布了该公司有史以来最详细的工艺和封装技术路线图之一，展示了一系列基础创新，这些创新将为2025年及以后的产品提供动力。除了宣布RibbonFET(十多年来第一种新型晶体管架构)和PowerVia(行业首创的新型后端电源传输方法)之外，该公司还强调了其计划迅速采用下一代极紫外光版技术(EUV)，即高数值孔径(High NA) EUV。英特尔的定位是接受业界第一个高NA EUV生产工具。

“基于英特尔在先进封装领域无可置疑的领导地位，我们正在加速我们的创新路线图，以确保我们在2025年之前处于流程性能领先的明确道路上，”英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格在全球“英特尔加速“网络直播。“我们正在利用我们无与伦比的创新管道，提供从晶体管到系统级别的技术进步。在元素周期表耗尽之前，我们将坚持不懈地追求摩尔定律，并利用硅的魔力进行创新。”

更多:工艺和包装创新(宣传资料册)|“英特尔加速”网络直播(赛事直播/回放)|加速工艺创新(事实说明)|加速工艺创新(引用)|英特尔推出新的RibbonFET和PowerVia技术(视频)|英特尔EMIB技术解释(视频)|英特尔fooveros技术解释(视频)

业界早就认识到，传统的基于纳米的工艺节点命名在1997年就不再与实际的门长度量相匹配。今天，英特尔为其流程节点引入了新的命名结构，创建了一个清晰一致的框架，让客户更准确地了解整个行业的流程节点。随着英特尔代工服务的推出，这种清晰度比以往任何时候都更加重要。“今天公布的创新不仅将实现英特尔的产品路线图;他们对我们的代工客户也至关重要，”Gelsinger说。“对IFS的兴趣一直很强烈，我很高兴今天我们宣布了我们的前两个主要客户。IFS已经开始比赛了!”

英特尔技术人员描述了以下路线图新的节点名称和支持每个节点的创新：

• 英特尔7基于FinFET晶体管优化，与英特尔10nm superin相比，每瓦性能提高了约10%至15%。英特尔7将在2021年面向客户的Alder Lake和预计于2022年第一季度投入生产的数据中心Sapphire Rapids等产品中使用。
• 英特尔4完全采用EUV光刻技术，使用超短波长光打印非常小的特征。随着每瓦性能提高约20%，以及面积的改进，英特尔4将于2022年下半年投入生产，并于2023年发货，包括客户端的Meteor Lake和数据中心的Granite Rapids。
• 英特尔3利用进一步的FinFET优化和增加EUV，提供约18%的性能/瓦特比英特尔4，以及额外的面积改进。英特尔3将于2023年下半年开始生产产品。
• 英特尔20RibbonFET和PowerVia两项突破性技术开创了埃时代。RibbonFET是英特尔实现的栅极全能晶体管，将是该公司自2011年首创FinFET以来的首个新型晶体管架构。该技术提供更快的晶体管开关速度，同时在更小的占地面积内实现与多个鳍片相同的驱动电流。PowerVia是英特尔独特的行业首创的后端电源传输实现，通过消除晶圆正面电源路由的需要来优化信号传输。英特尔20A预计将于2024年上市。该公司也很高兴有机会与高通合作，使用其英特尔20A工艺技术。
• 2025年及以后:除了英特尔20A，英特尔18A已经在2025年初进行开发，对RibbonFET进行改进，这将使晶体管性能再次大幅提升。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代高NA EUV，并期望获得业界首款生产工具。英特尔正与阿斯麦紧密合作，以确保这一行业突破的成功超越当前这一代EUV。