凤凰城——2022年5月10日——智能电源和传感技术的领导者onsemi(纳斯达克代码:ON)今天宣布世界上第一个to无铅(TOLL)封装碳化硅(SiC) MOSFET在PCIM欧洲．晶体管满足了对高性能开关器件快速增长的需求，这些器件适用于高功率密度的设计。直到最近,SiC设备提供的是D2PAK 7铅包装，需要更多的空间。
与D2PAK封装相比，TOLL封装的占地面积仅为9.90 mm x 11.68 mm，可节省30%的PCB面积。它的外形只有2.30毫米，体积比D2PAK包装少60%。
除了尺寸更小之外，TOLL封装比D2PAK 7-lead具有更好的热性能和更低的封装电感(2 nH)。其开尔文源配置确保了更低的门噪声和更低的开关损耗-包括与没有开尔文配置的设备相比，减少了60%的接通损耗(EON)，确保在具有挑战性的电源设计中显著提高效率和功率密度，以及改善EMI和更容易的PCB设计。
onsemi高级副总裁兼高级电源部门总经理Asif Jakwani表示:“在小空间内提供高可靠性电源设计的能力正在成为许多领域的竞争优势，包括工业、高性能电源和服务器应用。“将我们一流的SiC mosfet封装在TOLL封装中，不仅可以减少空间，还可以提高EMI等许多领域的性能，并减少损耗。其结果是一个高度可靠和坚固的高性能开关设备，将帮助电源设计人员满足他们严格的电源设计挑战。”
SiC器件与硅器件相比具有显著的优势，包括在高频下提高效率，降低EMI，更高的温度操作和更高的可靠性。onsemi是唯一一家具有垂直集成能力的碳化硅解决方案供应商，包括SiC球生长，衬底，外延，器件制造，一流的集成模块和离散封装解决方案。
第一个SiC MOSFET提供在TOLL包是NTBL045N065SC1它适用于要求苛刻的应用，包括开关模式电源(SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和储能。该设备适用于需要满足最具挑战性的效率标准的设计，包括ErP和80 PLUS Titanium。
NTBL045N065SC1的VDSS额定值为650 V，典型RDS(on)仅为33 mΩ，最大漏极电流(ID)为73 a。该器件基于宽带隙(WBG) SiC技术，最高工作温度为175℃，栅极电荷(QG(tot) = 105 nC)显著降低开关损耗。此外，TOLL包装是MSL 1(湿度敏感性等级1)额定-并保证-以确保在大规模生产中的故障率降低。
此外，onsemi还提供TO-247 3引线、4引线和D2PAK 7引线包的汽车级器件。
关于onsemi
onsemi(纳斯达克股票代码:ON)正在推动颠覆性创新，以帮助建设更美好的未来。该公司专注于汽车和工业终端市场，正在加速汽车电气化和安全、可持续能源电网、工业自动化以及5G和云基础设施等大趋势的变化。凭借高度差异化和创新的产品组合，onsemi创造智能电源和传感技术，解决世界上最复杂的挑战，并引领创造一个更安全，更清洁，更智能的世界。了解更多关于onsemi atwww.onsemi.com．
