Düsseldorf, 2021年11月10日- - - - - -
瑞萨电子公司(TSE:6723)是先进半导体解决方案的主要供应商,今天扩展了其5G波束形成IC系列,推出了两款新的双极化毫米波器件,优化了2×2天线架构,用于5G和宽带无线应用,在n257, n258和261频段具有一流的性能。高度集成的F5288和F5268发射机/接收机(8T8R)芯片组位于一个5.1mm x 5.1mm的小BGA封装上,具有业界最高的硅Tx输出功率-每通道提供超过15.5dBm线性输出功率(注1)。通过这一组合,瑞萨实现了具有成本效益的无线电设计,并扩展了无线基础设施应用的信号覆盖范围,包括广域、小型蜂窝和宏基站,以及CPE、固定无线接入(FWA)接入点和各种其他应用。
新F5288而且F5268集成电路采用独特的动态阵列电源(DAP)技术,可在线性输出功率水平下实现高效运行,可编程范围从10 dBm到16 dBm。这使得第三代ic非常适合在有广泛输出功率要求的移动和固定无线应用中使用。这种灵活性允许通信客户通过跨不同应用重新利用其天线阵列设计来减少设计时间。
“随着行业向城市和郊区移动和固定无线网络的5G毫米波技术转移,足够的信号范围(或缺乏信号范围)仍然是最大的挑战,”他说Naveen Yanduru, Renesas射频通信产品部副总裁
。瑞萨的新型波束形成ic是这个不断发展的市场的游戏规则改变者,提供具有高输出功率的小型集成波束形成解决方案,使通信客户能够为远程无线应用实现具有成本效益的基站和FWA设计。”
关于F5288和F5268 5G毫米波波束形成ic
瑞萨的第三代毫米波波束形成ic可满足5G系统所需的所有波束形成功能,同时在任何硅技术中实现高效率的最高线性射频输出功率。
集成电路的双极化8通道架构提供了一个高度对称和极低损耗的天线路由网络,以提高整体天线效率并降低电路板成本。外露的模具封装可在电路板上实现更有效的热管理,并通过IC后部改善散热。此外,瑞萨设计了封装引脚图,以简化电路板设计并降低设计风险。较低的PCB设计复杂度和最少的层数,从而降低了电路板成本和更快的上市时间。
F5288和F5268集成电路还采用了瑞萨最先进的技术,以增强阵列级性能。动态阵列电源技术允许输出功率与高效率的优雅缩放。ArraySense技术具有全面的片上传感器网络,允许用户在阵列操作中监控IC性能,并实时应用关键修正。RapidBeam先进的数字控制技术可以同时同步和异步控制几个波束形成电路,以实现极快的波束转向操作。
其他功能包括
- 26.5GHz - 29.5GHz (F5288)和24.25GHz - 27.5GHz (F5268)运行
- 先进的温度补偿技术,最大限度地减少RF性能随温度变化的退化
- 最先进的相位和增益控制,包括360°相位控制范围,真正的6位分辨率,高达31.5dB增益控制,0.5dB步长
- 改进的Rx线性模式,为接收机阵容提供额外的灵活性
- Rx噪声值在室温下低至~4.5dB,在高达95°C的温度下低于5.5dB
为了进一步简化系统设计,客户可以利用瑞萨的新基站天线前端获奖组合,具有新的F5288和F5268波束形成ic以及该公司的F5728上/下转换器,8V97003宽带毫米波合成器,以及各种瑞萨PMIC器件。瑞萨提供超过250种“获奖组合”产品,这些产品具有互补的模拟、电源、定时设备和嵌入式处理,可提供易于使用的架构,简化设计流程,并在各种应用中为客户显著降低设计风险。有关这一点和其他瑞萨解决方案的更多信息,请访问renesas.com/win。
可用性
F5288和F5268波束形成电路和评估系统现已上市。更多信息请访问renesas.com/5G。
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