- 同意Soitec技术用于未来200mm SiC衬底生产
- 关键使能半导体技术支持向电动交通和提高工业系统的能源效率的过渡
日内瓦(瑞士)和贝尔宁(法国)，2022年12月1日-意法半导体(NYSE: STM)，一家为电子应用领域的客户提供服务的全球半导体领导者，和Soitec(泛欧交易所巴黎)，一家设计和制造创新半导体材料的领导者，宣布了他们在碳化硅(SiC)衬底上的下一阶段合作，ST计划在未来18个月内获得Soitec SiC衬底技术的认证。此次合作的目标是，ST将采用Soitec的SmartSiC™技术，用于其未来的200mm基板制造，为其设备和模块制造业务提供支持，预计在中期批量生产。
“向200mm SiC晶圆的过渡将为我们的汽车和工业客户带来巨大的优势，因为他们正在加速向系统和产品的电气化过渡。随着产品数量的增加，这对于推动规模经济非常重要。马可·蒙蒂意法半导体(STMicroelectronics)汽车和离散集团总裁。“我们选择了垂直整合的模式，以最大限度地提高我们在整个制造链上的专业知识，从高质量的基板到大规模的前端和后端生产。与Soitec技术合作的目标是继续提高我们的制造产量和质量。”
“随着电动汽车的出现，汽车行业正面临重大颠覆。我们尖端的SmartSiC™技术将我们独特的SmartCut™工艺应用于碳化硅半导体，将在加速其应用方面发挥关键作用，”Soitec首席运营官Bernard Aspar表示。Soitec的SmartSiC™衬底与意法半导体行业领先的碳化硅技术和专业知识的结合，将改变汽车芯片制造的游戏规则，并将制定新的标准。”
碳化硅(SiC)是一种具有固有特性的颠覆性化合物半导体材料，在电力流动性和工业过程等关键的高增长功率应用中，其性能和效率优于硅。它可以实现更高效的功率转换、更轻、更紧凑的设计，以及节省整体系统设计成本——这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和因素。从150毫米晶圆过渡到200毫米晶圆将使产能大幅增加，用于制造集成电路的有效面积几乎增加了一倍，每个晶圆可交付1.8 - 1.9倍的工作芯片。
SmartSiC™是Soitec的专利技术，采用Soitec专利SmartCut™技术，将一层薄的高质量SiC“供体”晶圆分离，并将其粘接在低电阻率“柄”polySiC晶圆上。工程基板然后提高器件性能和制造产量。优质SiC“供体”晶圆可以多次重复使用，大大降低了生产所需的总能耗。
对意法半导体
在ST，我们有48,000名半导体技术的创造者和制造商，通过最先进的制造设施掌握半导体供应链。作为集成设备制造商，我们与20多万客户和数千个合作伙伴合作，设计和构建产品、解决方案和生态系统，以应对他们的挑战和机遇，并支持一个更可持续的世界。我们的技术能够实现更智能的移动，更高效的电力和能源管理，以及物联网和连接的大规模部署。ST致力于到2027年实现碳中和。更多的信息可以在www.st.com．
