日内瓦,2022年5月9日-意法半导体gydF4y2BaSTPOWER MDmesh M9gydF4y2Ba而且gydF4y2BaDM9 n沟道超结多漏硅功率mosfetgydF4y2Ba适用于从数据中心服务器、5G基础设施到平板电视等应用中的开关模式电源(SMPS)。gydF4y2Ba
首批推出的设备是gydF4y2Ba650V STP65N045M9gydF4y2Ba而且gydF4y2Ba600V STP60N043DM9gydF4y2Ba.两者都有非常低的导通电阻(RgydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba),可最大限度地提高功率密度,并使系统尺寸紧凑。每个R都有最好的最大值gydF4y2BaDS(上)gydF4y2Ba(右gydF4y2BaDS马克斯gydF4y2Ba), STP65N045M9在45mΩ, STP60N043DM9在43mΩ。具有极低的门电荷(QgydF4y2BaggydF4y2Ba),一般80nC在400V漏压下,这些器件具有最好的RgydF4y2BaDS马克斯gydF4y2Bax问gydF4y2BaggydF4y2Ba目前可用的性能指标(FoM)。gydF4y2Ba
栅极阈值电压(VgydF4y2BaGS (th)gydF4y2Ba), STP65N045M9通常为3.7V, STP60N043DM9为4.0V,与早期的MDmesh M5和M6/DM6相比,最大限度地减少了导通和关断开关损耗。MDmesh M9和DM9系列还具有非常低的反向回收电荷(QgydF4y2BarrgydF4y2Ba)和反向恢复时间(tgydF4y2BarrgydF4y2Ba),从而进一步提高效率和开关性能。gydF4y2Ba
ST最新的高压MDmesh技术的另一个特点是额外的铂扩散过程,确保了快速的内在体二极管。峰值二极管恢复斜率(dv/dt)大于早期工艺。所有属于MDmesh DM9技术的设备都非常坚固,可以在400V下承受高达120V/ns的dv/dt。gydF4y2Ba
ST的新型MDmesh M9和DM9器件STP65N045M9和STP60N043DM9均采用TO-220电源封装,已投入生产,将于2022年第二季度末在分销商处上市。STP65N045M9的订货量为1000件,起价为6.30美元。进一步的标准表面安装和通孔封装选项将在2022年晚些时候添加。gydF4y2Ba
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