日内瓦，2023年1月9日-意法半导体推出了五种流行配置的功率半导体桥，位于ST的高级ACEPACK™SMIT包与传统的to型封装相比，它简化了组装并提高了功率密度。
工程师可以选择两个STPOWER 650V MOSFET半桥，一个600V超快二极管桥，一个1200V半控制全波整流器和一个1200V晶闸管控制桥腿。所有设备均满足汽车行业要求，适用于电动汽车车载充电器(OBC)和直流/直流转换器，以及工业功率转换．
圣的ACEPACK SMIT表面安装的包装提供了易于处理的绝缘包装与外露排水管的热效率。它允许直接连接铜(DBC)模具附件，以实现高效的顶部冷却。4.6厘米2ACEPACK SMIT暴露的金属上部允许轻松连接平面散热器。这创造了一个节省空间的低轮廓，最大限度地散热，以提高高功率下的可靠性。模块和散热器可以使用自动内联设备放置，从而节省了人工流程并提高了生产率。
在最小化堆叠高度和提高功率密度的同时，顶部冷却设计和32.7mm x 22.5mm的封装面积允许6.6mm的引线到引线爬电距离。标签到铅的绝缘是4500Vrms。该封装还具有低寄生电感和电容。
的SH68N65DM6AG和SH32N65DM6AG650V-MDmesh DM6 MOSFET半桥目前在ACEPACK SMIT是AQG-324合格。SH68N65DM6AG中的41mΩ和SH32N65DM6AG中的97mΩ的Rds(on) (max)确保了高电效率和低散热。它们可用于直流/直流变换器，用于OBC和高低压段。他们的多角色灵活性有助于简化库存和采购。
的STTH60RQ06-M2Y600V, 60A全波桥式整流器由超快二极管组成，具有软恢复特性，可用于汽车应用。
的STTD6050H-12M2Y1200V、60A半控单相交直流桥式整流器符合AEC-Q101标准，具有高抗干扰性，dV/dt可达1000V/μs。
的STTN6050H-12M1Y是一个1200V, 60A的半桥，包括两个内部连接的晶闸管(可控硅整流器- scr)。通过AEC-Q101认证，可用于汽车obc和充电站，以及工业应用，如电机驱动和电源中的AC/DC转换，单相和三相控制整流桥，图腾柱功率因数校正，固态继电器。
所有的设备现在都在生产中，价格从10美元起STTH60RQ06-M2Y二极管桥和STTN6050H-12M1Y半控桥。的STTD6050H-12M2Y可控硅半桥和SH32N65DM6AG650V MOSFET半桥是$12.00，和SH68N65DM6AGMOSFET半桥是18.00美元。所有价格都是针对1000件的订单。
如需进一步信息，请访问www.st.com/power-acepack-smit．
