今年早些时候我们得到了一些评论来自法国研究联盟Leti的光子学研究，以及他们看到的方向。

最近，他们宣布他们的HELIOS项目能够实现有史以来第一个40 Gb/s光调制器的消光比(或多或少就像噪声裕度，逻辑0和逻辑1之间的功率差-为什么光学需要不同的语表，我不知道…)为10 db。

这是在cmos友好的过程中完成的，可以直接与其他电路集成。

我问他们做了什么不同的事情来实现这一点，他们有些害羞，说这是一个“精心设计”。更具体地说，“为了确保精确的掺杂轮廓，这是硅损耗调制器的强制性要求，专利的自对准技术提供了一个定义良好的结。然后，优化掺杂和厚电极的制造有助于实现这一[结果]以及RF电极的优化设计。”他们承诺未来会有更高的射频速度。

我还问这是否是一个概念验证项目，或者结果是否可以转移到商业用途。他们表示，他们使用标准的加工技术，在200毫米晶圆上获得了良好的产量，因此，只要市场准备好了，就可以投入生产。

更多关于他们的信息释放.．.

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