当涉及到我们今天所看到的各种集成,很难找到比化学更重要的东西/物质平面化(CMP)的使能技术。在这之前,我们只能使用几层金属,在那之后,刚刚太不规则表面支持其他可靠的层。鉴于顺利出来的能力,我们似乎可以层层不停。

整个化学/力学表明与研磨剂擦洗,连同一些化学腐蚀鼓励的事情。这是或多或少会发生什么。

对我们来说,这是一种昏昏欲睡的小世界,作品。但是后来我看到宣布新的abrasive-free铜CMP过程从陶氏。这使得它看起来更像比CMP CP。

我问更多的信息:我不清楚abrasive-free CMP真正意味着什么。它花了一点时间来得到一个答案——显然这是秘密的东西,不得不小心舞文弄墨者和批准。他们的解释如下:

标准的方法使用一个氧化剂形成铜的氧化物层上;这个部分将被删除。这就是“C”部分。还有磨料磨具,带走氧化铜;这是“M”部分。大部分的影响来自于机械洗涤。

相比之下,陶氏化学的关注:他们溶解氧化层而不是擦洗。实际上,它甚至不清楚这个氧化物的形成;他们只是把它作为一个保护层:“陶氏活性液体抛光配方操作,结合化学机械抛光垫的动态运动,促进铜的去除通过重复过程的保护和溶解的铜表面的晶片”。

的想法是部分有磨损少整个系统没有研磨剂,降低成本和维护。但更重要的是,摆脱“碟形”的问题——的宽领域没有金属沉没了,现在一个问题解决与填充金属。整平金属发生独立的模式。这可能是一个大问题…

在原来的更多细节公告…

• 
• 
• 
• 
•