你可能记得,有各种方式方法CMOS-compatible MEMS。的收益率最小的死区CMOS-first过程,在CMOS电路然后MEMS层被添加之后。正确地完成,这意味着可构建MEMS部分的电路——这是,当然,提供了节省空间。

Imec已经做了很多的工作在这个空间,在我们以前的文章中,我们指出他们的偏爱硅薄膜作为质量证明等材料。但是他们只希望建筑结构老铝金属化层。

更激进的流程使用铜金属,所以imec做了一个示范项目来证明这一点。具体来说,他们建立了一个压阻压力传感器在其读出电路,使用铜互连。

底线是:这工作。这可能表明CMOS-first MEMS能顺利过渡的铝、铜在先进的节点。

更详细的释放…

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