最近致力于ICCAD显示有一个会话MRAM和记忆电阻器。Spintec介绍MRAM,超出了正常讨论的内存,和提出了一个混合逻辑/内存(或logic-in-memory)使用MRAM单元——或者,更准确地说,磁隧道结(mtj)。

年底最简单这是所谓的非易失性触发器(NVFF)。它通常作为一个标准的触发器或SRAM单元(等效性能),但牵引结束的几个mtj在相反的偏见。这些可以作为永久存储状态:当一个执行“auto-zero”功能使用额外的晶体管,FF停止像FF,就像一个音箱。失去平衡的本质上是一双diff偏见电路在一个方向上,这样,在几百皮秒,你可以恢复存储状态。添加两个晶体管需要提供加热电流thermally-assisted mtj切换,和你有一种动态变化的非易失性状态。

这可以帮助,例如,当驱动下一块来节省电能。在这样做之前,如果你保存价值MTJ一对,然后块可以保存其状态,回来了没有失去记忆。这一概念的另一个例子是一个非易失性L2高速缓存,可以关闭和恢复没有损失。

Laboratoire d 'Informatique de Robotique et de Microelectronique de蒙彼利埃(LIRMM)到目前为止已经放在一起一个FPGA,人字拖和SRAM细胞已经被mtj所取代。现在,通过串行捕获FPGA内容后流并将其存储在mtj,你可以有sub-1-ns配置后升高从那时起——没有串行加载。

logic-in-memory概念mtj嵌入标准逻辑电路。他们增加一个加法器的例子,两个晶体管作为电流型加法器闩上。在每条腿有一个MTJ电流源上方加法器。电流源本身是动态的,以减少权力。

这所有的工作,因为MTJ上面可以构建旁边的逻辑而不是逻辑,是典型的CMOS或其他内存。这允许无缝混合mtj和逻辑,它减少了逻辑之间的距离计算,提高性能和提高互连的机会。MTJ可以快速编程(10的ns vs 2-ns写时间挥发性存储器位)。

在加法器的例子中,面积和性能改进的名义上使用混合方法,但动态功率从70µW超过16µW;备用电源从0.9 nW到0 nW(由于电流源可以关闭)。走错了方向的唯一指标是细胞的能量需要写:从4 pJ纯CMOS实现几乎7 pJ的混合动力版,刚刚超过20 pJ写MTJ。

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