MEMS元素精致。他们在他们的小蛀牙坐在那里,期望在某种环境控制——也许某一气体或压力(或缺乏)。如果他们与CMOS电路配置,然后他们需要保护,免受任何进一步的处理步骤。换句话说,他们需要从世界其他国家的封锁。晶圆键合是一个常见的方法:把另一个晶片与蚀刻特性(也许)面对面的与工人晶片和债券。

共价分子键是最强的;如果你把两个硅片在一起,例如,最理想的是在每个表面的硅原子晶片键共价与同行其他晶片这整件事开始看起来像一个连续的水晶。这是最理想的。

这样做不是微不足道的,当然,因为表面可能会有瑕疵和污染物。因此表面处理晶片键合过程的一个重要组成部分。它还涉及中介像水,建立初步的债券;一个退火然后沉淀反应,导致适当的共价键和out-diffusion任何无关的元素。

最初,高温退火所必需的。当然,任何超过450°C不太合任何CMOS可能在的地方,所以各种表面处理技术设计的退火温度低于阈值。

但即使是这些温度可以结合不同材料的问题,或晶片和堆栈的材料不同,压力可以来自不同的热膨胀率在退火过程中。

EVG最近宣布的新方法制备表面共价键发生立即,在室温下。很明显,他们已经宣布这个新过程;他们还没有宣布它是什么;他们仍然在欲盖弥彰。这消除了退火步骤完全,因此热膨胀问题。

设备使用这种新技术应该船今年某个时候。你可以找到更多的释放。

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