我们一直在谈论在矽通过(tsv)多年来,但2.5 d和3 d ICs仍流传在高端。

除了处理成本,成本上升的一个因素是tsv对死亡的影响大小。当我们争论的最好方法保存一个或两个纳米,tsv操作规模更大三个数量级:微米。和良好的部分原因是纵横比:在目前的极限10:1左右,然后,如果你想要一个150 -µm深孔,你需要让它15µm宽。如果我们能提高比例,然后我们可以缩小这些tsv并释放一些硅区域。

一个主要的高宽比限值器是填补他们干净用金属的能力。为了确保没有空洞在任何表面,种子层是必要的。这种子层必须存入一个控制,统一的方式。

金属作为种子,物理气相沉积(刚才)——蒸发材料凝结在物体表面在真空中,往往效果最好。但PVD涂层表面水平时也是最有效的。播种一个TSV绝不水平。你需要覆盖两侧和底部以相等的利率。

尽管这个挑战,探戈系统几个月前宣布,他们已经把长宽比酒吧15:1,使用周围性血管疾病。他们通过控制等离子体密度和真空磁子,振动下的目标。所以15-µm-wide洞我们需要得到150µm深?现在只需要10µm宽。(为什么要节省10 nm时可以节省5000 ?)

有撞50%的限制,探戈认为这15:1酒吧将持续一段时间。是的,实现更深层次的可能有一些好处,但与此同时,因为这正在发生,晶片也正在变薄,从而减少所需的深度。

tsv不过是第一个应用程序他们设想这项新技术。他们说,它还可以对MEMS(有一些长期的消息等待),改善臀部的沉积金属,他们的下一个目标——提供EMI屏蔽。

你可以找到他们公告。

• 
• 
• 
• 
•