1圣2022年9月- Innoscience Technology公司成立，旨在创建基于高性能，低成本氮化镓硅(GaN-on- si)电源解决方案的全球能源生态系统，今天宣布Bi-GaN系列双向GaN HEMT器件，节省空间，便于快速充电，而不会受到可靠性限制和潜在危险的温度上升，有时可以在传统硅器件中看到。Innoscience还透露，领先的消费电子和移动通信公司OPPO正在其手机中使用新的BiGaN设备来控制电池的充电和放电电流。这是基于氮化镓技术的这种保护首次被包含在手机本身中——以前这种电路必须被整合到充电器中。
直到最近，硅mosfet一直被用作手机的电源开关。然而，这些传统设备不仅在手机的主PCB上占据了很大的空间，而且在快速充电时也可能导致相当大的温度升高和功率损失。InnoGaN具有高频、高效率、低电阻等优点，对高效充电至关重要。
多亏了InnoGaN的低RDS(上)由于其没有寄生二极管，加上Innoscience的BiGaN技术独特的双向特性，一个BiGaN HEMT可用于替换在共源配置中背对背连接的NMOS mosfet，以实现电池充电和放电电流的双向切换。这将使导通电阻降低50%，芯片尺寸降低70%，温升降低40%。
Innoscience发布的首款BiGaN器件是INN040W0488，这是一款采用WLCSP封装的40V双向GaN-on-silicon HEMT，尺寸为2.1mm x 2.1mm。该芯片支持双向开关，导通电阻低至4.8mΩ。BiGaN面向智能手机充电的过压保护电路、高侧负载开关电路、多电源系统的开关电路等应用。Innoscience也在努力扩展双向系列，以降低导通电阻和更高的电压。
在近日举行的广东首届插头大会ucs技术研讨会上，OPPO确认将在手机中使用创科BiGaN hemt，成为全球首家使用BiGaN作为直接充电负载切换器的手机制造商。OPPO表示，BiGaN产品不仅节省了手机内部宝贵的空间，还降低了手机充电时的温升。这样可以在快速充电时保持更舒适的温度，延长快速充电的持续时间，并提供更好的用户体验。OPPO还宣布，BiGaN双向技术也将在未来量产的手机型号中采用。这是智能手机行业的重大发展，也是GaN技术首次进入手机内部。
Innoscience产品开发高级副总裁孙毅评论道：“BiGaN产品在智能手机中的应用标志着GaN新时代的到来。OPPO宣布在其车载快速充电电路中使用我们创新的双向hemt，我们感到非常高兴和荣幸。我们期待着进一步合作，提供具有先进性能的解决方案。”
关于Innoscience
Innoscience是一家集成器件制造商(IDM)，成立于2015年12月，由CMBI, ARM, SK等知名投资者投资。随着新技术的发展，世界范围内的电网和电力电子系统正在经历一场巨大的变革。我们的愿景是用高效、低成本的氮化镓硅(GaN-on-Si)电源解决方案创建一个能源生态系统。2017年11月，Innoscience在珠海率先建立了8英寸GaN-on-Si器件的量产线。为了满足快速增长的电力需求，Innoscience于2020年9月在苏州开设了一个新工厂。作为领先的GaN技术提供商，Innoscience拥有1400多名员工和300多名研发专家，致力于提供高性能，高可靠性的GaN功率器件，可广泛应用于云计算，电动汽车(EV)和汽车，便携式设备，手机，充电器和适配器等各种应用。欲了解更多信息，请访问www.innoscience.com．
