| 11月3日消息——Innoscience Technology成立的目的是基于高性能、低成本的硅氮化镓(GaN-on-Si)电源解决方案创建全球能源生态系统，该公司将在即将到来的电子展上发挥全面而积极的作用。 Denis Marcon, Innoscience欧洲区总经理将参加两个论坛的讨论: 电力电子论坛，11月16日星期三上午11:50th，展位A4.473:“如何发挥GaN功率器件的性能优势。” 11月16日，星期三，下午1:00th，展位C3.557 (WEKA):“氮化镓-超越消费电子产品。”
Innoscience展台(C3.440)的观众将能够与团队讨论低电压(30V-150V) GaN功率器件的性能和应用，如新推出的jedec认证的INN100W032A额定电压为100V，具有低典型RDS(上)仅2.4mΩ的焊锡棒WLCSP包装仅3.5mm x 2.13mm的包装尺寸。Innoscience还将展示一款基于INN100W032A的2.4kW、48-12V双向降压升压变换器，用于轻度混合动力电动汽车(MHEV)和工业应用。此外，Innoscience还将展示一款使用40V InnoGaN™电源器件的150W Buck-Boost转换器。这将展示我们的解决方案的规模和性能优势，为电池供电设备和对接站的下一代USB-C、PD3.1设计提供动力。 此外，Innoscience将展示其双向(BiGaN™)电源设备，这是第一个进入手机内部的GaN设备，进入OPPO智能手机的电池管理系统。 除此之外，Innoscience团队还将展示具有广泛导通电阻的高压(650V)功率GaN器件组合，以满足各种功率转换器应用。Innoscience将特别推出符合jedec标准的650V GaN HEMT INN650D080BSDS(上)60mΩ的一个标准的8×8 DFN包。InnoGaN™已用于Innoscience与比利时KU Leuven/Energie Ville合作开发功率超过1kW的400V双有源桥(DAB)转换器。
在Innoscience与瑞士BFH研究所的另一项合作中，该设备已被用于实现多级800V变换器。 最后，Innoscience将展示几个演示，展示其广泛的高压GaN hemt的性能。亮点将包括基于INN650D140A的紧凑型300W PFC + LLC PD电源。Innoscience高级业务发展经理Christiam Gasparini解释说:“这是一个非常紧凑和高效的平台，适用于许多产品，包括消费电器、工业、计算、USB-C电源传输、医疗和游戏等。” Innoscience欧洲区总经理Denis Marcon评论道:“我们很高兴第一次参加电子展，这是西方世界最大的电子展。我们拥有非常有竞争力的低压和高压GaN hemt，目前已投入量产，技术支持团队也已到位，以确保客户能够利用GaN的优势，超越竞争对手。” |
| 关于Innoscience Innoscience是一家集成设备制造商(IDM)，成立于2015年12月，由CMBI, ARM, SK和其他知名投资者投资。随着新技术的发展，世界各地的电网和电力电子系统正在经历大规模的变革。我们的愿景是通过高效、低成本的硅氮化镓(GaN-on-Si)电源解决方案创建一个能源生态系统。2017年11月，Innoscience首次在珠海建立了GaN-on-Si器件的量产8英寸晶圆生产线。为了满足快速增长的电力需求，创科科技于2020年9月在苏州开设了一家新工厂。作为领先的GaN技术提供商，Innoscience拥有1400多名员工和300多名研发专家，致力于提供高性能和高可靠性的GaN电源器件，可广泛应用于云计算、电动汽车(EV)和汽车、便携式设备、移动电话、充电器和适配器等各种应用。如需更多信息，请访问www.innoscience.com． |
