位于加利福尼亚州圣克拉拉的博伊西,爱达荷州,4月14日,2011年,英特尔公司和美光科技公司今天推出了一个新的、更好的20-nanometer (nm)过程对制造业NAND闪存技术。新20 nm过程产生一个第五代(GB)多层细胞(多层陶瓷)NAND闪存设备,提供一个高容量的小型存储选项保存音乐、视频、书籍和其他数据,智能手机、平板电脑和计算解决方案如固态硬盘(ssd)。
的增长数据存储结合特性增强对平板电脑和智能手机是创造新的要求NAND闪存技术,特别是大容量更小的设计。新的20 nm 8 gb设备措施仅为118毫米2,使董事会空间减少30 - 40%(取决于包类型)相比,公司现有25 nm 8 gb NAND闪存设备。减少flash存储布局提供了系统级效率更高,因为它使平板电脑和智能手机制造商使用额外的空间更大的电池,等最终产品改进大屏幕或添加另一个芯片来处理新特性。
生产的IM Flash技术(IMFT),英特尔和微米的NAND闪存合资企业,新20 nm 8 gb的设备是一个突破NAND的过程和技术设计,进一步扩展公司的光刻技术领导力。萎缩与非光刻技术节点是最具成本效益的方法提高工厂产量,因为它提供了大约50%的g从这些工厂相比,目前的技术能力。新的20 nm过程保持类似的性能和耐力的上一代25 nm NAND闪存技术。
“关闭客户协作是微米的核心价值之一,通过这些努力,我们不断发现引人注目的最终产品设计NAND闪存的机会,”格伦鹰说,微米的NAND闪存解决方案集团副总裁。“我们的创新和增长机会继续20 nm NAND过程,使得微米提供具有成本效益的,增值固态存储解决方案为我们的客户。”
负担得起的“我们的目标是使即时获取世界各地的信息,”汤姆Rampone说,副总裁和总经理,英特尔集团非易失性内存解决方案。“行业领先的NAND让英特尔能够提供最高质量和最具有成本效益的解决方案给我们的客户,一代又一代。Intel-Micron合资企业是一个模型制造业继续引领行业的工艺技术,使我们整个工厂的快速转换网络越来越小的光刻技术。”
20 nm, 8 gb设备抽样现在和预期在2011年下半年进入大规模生产。当时,英特尔和微米还希望推出的样本一个16 gb的设备,创造多达128 gb的容量在一个单一的固态存储解决方案,小于美国邮票。
对微米
美光科技有限公司,是全球领先的先进半导体解决方案的提供者。通过其全球业务,微米制造和市场全方位的DRAM, NAND和闪存,以及其他内存技术,创新的包装解决方案和半导体系统用于尖端计算、消费者、网络、嵌入式和移动产品。微米的普通股票在纳斯达克交易下μ的象征。更多地了解美光科技公司参观www.micron.com。
对英特尔
英特尔(纳斯达克:INTC)在计算创新处于世界领先地位。该公司设计和构建关键技术,作为世界上的计算设备的基础。关于英特尔提供的额外信息newsroom.intel.com和blogs.intel.com。
