2011年5月17日加州森尼维尔市。- - - - - - -磨粉技术,MRAM技术的主要开发人员,RUSNANO,总理纳米技术投资基金,今天宣布,他们已经关闭一个协议创建一个MRAM制造公司,总投资达3亿美元。根据协议条款,番红花和RUSNANO将形成磨粉纳米电子(CNE),建立一个先进的MRAM设施在俄罗斯,有能力制造中高密度MRAM产品基于磨粉的热辅助SwitchingTM(助教)MRAM技术在90纳米和65纳米光刻技术。
大约在第一年将投资1.25亿美元在俄罗斯建立CNE MRAM的设施。此外,Rusnano连同番红花的现有投资者疾控中心创新、Ventech IDInvest伙伴,NanoDimension,和Sofinnova企业将股权投资5500万美元的番红花。额外的1.2亿美元将被部署在随后几年来增加生产能力的MRAM设施。进一步投资支持升级到45 nm和细光刻加工也纳入本协议。
“RUSNANO反映了他们的投资承诺打破国际将刺激全球纳米技术产业,”伯特兰·Cambou说,磨粉技术的执行主席。”我们很高兴RUSNANO选择投资番红花”技术,积极参与建设一个独特的Russian-based制造厂,将全球市场。”
俄罗斯CNE设施将利用磨粉的技术来创建世界上第一个专门的磁存储器芯片厂的高容量MRAM设备制造业在300 mm晶圆90 nm和65 nm)特征尺寸。工厂将用来添加MRAM具体处理层标准CMOS铸造晶片。在操作生产设备将在两年内,将每周生产500片的能力。扩大产能1000片每星期预计在第二阶段的投资。此外,CNE和番红花计划创建一个学习中心和一个发展生态系统先进的记忆在俄罗斯联邦设计和生产。番红花将投资超过500万美元的最初进入俄罗斯研究机构开发先进制造解决方案。本研究投资将随着时间的推移,扩展到包括安全的内存芯片系统(SOC)功能,网络处理,和先进的计算。
CNE的90 nm和65 nm制造能力将使磨粉提供比目前更高密度MRAM设备。CNE将生产的产品销售由番红花,销往世界各地,除俄罗斯和其他前独联体国家,而CNE将直接在前独联体市场。番红花CNE将地址等关键市场采购的产品存储、移动通信、网络和云计算。除了通用内存的应用程序,番红花的助教MRAM技术将提供具体使用智能卡),网络处理,生物认证,近场通讯(NFC),和安全的内存。non-volatility,无限的耐力和快速读/写性能的番红花MRAM技术是非常宝贵的对于许多这样的应用程序。番红花的技术将被使用在两个独立的嵌入式应用程序,解决市场总每年超过400亿美元的机会。
CNE合资企业将互补的番红花”此前宣布的晶片铸造与TowerJazz合作,已成功进入决赛资格阶段,与生产130海里的坡道MRAM设备计划在2011年底。此外,磨粉将继续与SVTC,其流程集成研发合作伙伴在圣何塞,CA,开发使用CNE关键制造工艺步骤。
在这个事务磨粉是由黑比诺德Villechenon &过渡群系在法国法律方面和CMS俄罗斯法律。
对磨粉技术
番红花是一种磁阻的随机存取存储器(MRAM)的主要开发人员密集的技术,非易失性、高速、可伸缩的芯片解决方案通用和专用应用程序。公司的MRAM创新起源于Grenoble-based Spintec实验室,自旋电子学的世界领先的研发中心,与法国国家实验室CEA和CNRS附属。公司将提供离散,高密度MRAM芯片目标各种电信、网络、存储、计算和手持设备的应用程序。该公司还为独立许可其技术和嵌入式芯片的应用程序。番红花的MRAM技术是由一个全面的专利组合。找到磨粉:www.crocustechnology.com。
关于RUSNANO
RUSNANO的使命是通过纳米技术项目联合投资发展俄罗斯纳米技术产业巨大经济潜力和社会效益。RUSNANO成立于2011年3月作为一个开放股份公司通过重组国有企业俄罗斯纳米技术的公司,成立于2007年。重组,建立纳米技术基础设施和纳米技术专家培训,这是以前由纳米技术的俄罗斯公司,现在委托给新创建的非商业性基金基础设施和教育项目。俄罗斯联邦政府在RUSNANO拥有100%的股份。是伙伴阿纳托利•丘拜斯RUSNANO执行委员会的主席。迄今为止,RUSNANO已经承诺1650亿卢布(US5.9十亿美元)的110个项目,总投资3680亿卢布(US13.2十亿美元)。超过670亿卢布(US2.4十亿美元)已经投资了。有关更多信息,请访问www.rusnano.com
