德国慕尼黑- 2022年12月15日-未来电力电子系统的设计将不断推进，以提高最先进的性能和功率密度。为了支持这一趋势，英飞凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新的Source-Down 3.3 x 3.3 mm²PQFN产品系列，具有25- 150v级的底端(BSC)和双侧冷却(DSC)变体。新产品系列在组件级别上提供了显著的增强，为DC-DC电源转换提供了有吸引力的解决方案，为系统创新开辟了新的可能性服务器，电信和ing,电池保护，电动工具S、充电器应用。
新的产品组合将英飞凌最新的MOSFET技术与领先的封装相结合，将系统性能提升到一个新的水平。在source - down (SD)概念中，MOSFET模具源触点翻转到封装的占地面积一侧，然后焊接到PCB上。此外，该概念还包括在芯片顶部改进的卡扣设计，用于漏极触点和市场领先的芯片与封装面积比。
随着系统外形因素的不断缩小，两个关键方面是必不可少的:减少功率损耗和优化热管理。与一流的PQFN 3.3 x 3.3 m²排水设备相比，新系列显着提高了导通电阻(RDS(上))降低25%。英飞凌的OptiMOS Source-Down PQFN带有双面冷却，提供了增强的热接口，将功率损失从交换机重定向到散热器。双侧冷却变体提供了将电源开关连接到散热器的最直接方式，与相应的底部侧冷却源向下变体相比，增加了多达三倍的功耗能力。
两种不同的占地面积变体可为PCB路由提供最高的灵活性。一个传统的标准闸门变体提供了一个快速和简单的修改现有排水设计。中心门(Center-Gate, CG)变体为并行设备提供了新的可能性，以尽可能缩短驾驶员到门的连接。凭借高达298 A的卓越连续电流能力，整个OptiMOS Source-Down PQFN 3.3 x 3.3 mm²25- 150v产品系列可实现最高的系统性能。
可用性
OptiMOS Source-Down PQFN 3.3 x 3.3 mm²25- 150v产品系列包括两个占地面积版本，标准和中心门。双侧冷却包中的两种变体现在都可以订购。更多信息请访问www.infineon.com/source-down．
更多关于英飞凌对能源效率的贡献:www.infineon.com/green-energy．
