格林斯博罗，北卡罗来纳州- 2023年3月20日- Qorvo®(纳斯达克股票代码:QRVO)是全球领先的连接和电源解决方案提供商，将展示一种新型表面贴装to - less (TOLL)封装，用于高性能的5.4百万欧姆(mΩ) 750V SiC fet。这是750V SiC fet系列中的第一款产品，将在TOLL封装中发布，导通电阻范围从5.4 mΩ到60 mΩ。这些器件非常适合在空间有限的应用中使用，如AC/DC电源，范围从几百瓦到几千瓦，以及高达100A的固态继电器和断路器。
在600/750V级功率fet中，QorvoGen 4 SiC fet在导通电阻和输出电容的主要性能指标上提供无与伦比的性能。此外，在TOLL封装中，5.4 mΩ器件的导通电阻比同类最佳Si mosfet, SiC mosfet和GaN晶体管低4-10倍。SiC fet的750V额定电压也比替代技术高100-150伏，为管理电压瞬态提供了显著增强的设计余量。
Qorvo Power Devices业务首席工程师Anup Bhalla表示:“我们采用TOLL封装的5.4 mΩ Gen4 SiC fet的推出是我们为设计人员提供行业最佳性能和多种器件选择目标的重要一步。从事工业应用的客户尤其需要这种灵活性和成本效益相结合的电源设计。”
TOLL封装的占地面积小了30%，2.3毫米的高度是可比的D2PAK表面贴装产品的一半。尽管尺寸减小，但先进的制造技术实现了行业领先的0.1°C/W热阻，从结到壳。直流电流额定值为120A，在144°C的情况下温度，而脉冲电流额定值为588A，在0.5毫秒。结合超低导通电阻和优异的瞬态热行为，这产生了一个' I2t’额定值比相同封装的Si MOSFET高约8倍，有助于鲁棒性和对瞬态过载的免疫，同时还简化了设计。在TOLL包中还提供了开尔文源连接，以实现可靠的高速交换。
这些Gen4 SiC fet利用Qorvo独特的级联电路配置，其中SiC JFET与Si MOSFET共同封装，从而生产出具有宽带隙开关技术的所有效率优势和更简单的硅MOSFET栅极驱动的器件。
Qorvo toll封装，Gen4 5.4 mΩ SiC FET包括在内Qorvo的FET-JetTM免费使用的在线计算器，可以即时评估在各种AC/DC和隔离/非隔离DC/DC变换器拓扑中使用的部件的效率、组件损耗和结温升。可以在用户指定的热沉降条件下比较单个和并行设备，以确定最佳解决方案。
欲了解更多Qorvo先进的电力应用解决方案，请访问我们的网站https://www.qorvo.com/
这些产品将在应用电力电子会议(APEC)于3月19日至23日在佛罗里达州奥兰多Qorvo展位632举行。有关Qorvo在APEC会议上展示的创新技术的更多信息，以及会议安排和采访的链接，请访问https://www.qorvo.com/
关于Qorvo
Qorvo(纳斯达克代码:QRVO)提供创新的半导体解决方案，使更美好的世界成为可能。我们将产品和技术领先地位、系统级专业知识和全球制造规模相结合，快速解决客户最复杂的技术挑战。Qorvo服务于全球大型市场的各种高增长细分市场，包括消费电子产品、智能家居/物联网、汽车、电动汽车、电池供电电器、网络基础设施、医疗保健和航空航天/国防。访问www.qorvo.com了解我们多元化和创新的团队如何帮助连接、保护和为我们的星球提供动力。
