虽然最近的MEMS执行大会侧重于机电应用，但有时MEMS加工技术被强调为严格的电气目的，没有机械组件。

在一个例子中，ICEMOS谈到了他们与MEMS制造商欧姆龙(Omron)合作制造超结功率晶体管的新方法。

超结晶体管克服了R_在/分解权衡问题使用交替的p和n条。理论上，这些可以以多种不同的方式排列，但根据ICEMOS的说法，现在的典型方式是水平排列，通过生长一系列相反掺杂的外延层。他们说，这是一种昂贵的做事方式。

相反，它们是垂直的。他们这样做的方法是蚀刻沟槽冲动在欧姆龙的工厂。然后，他们使用侧壁植入物——几乎是垂直的，但倾斜得非常轻微——来填充这些沟槽的侧面。

尽管这种工艺对标准CMOS晶圆厂来说是不标准的，但他们表示，这种工艺仍然比多外延工艺更便宜。他们还表示，他们可以用这种方法制造更小的设备。

你可以从这里了解更多关于他们做什么的信息PDF报告.．.

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