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身体运动追踪:旧即是新

在今年的消费电子展上,健康和健身是新产品的主要类别之一。其中一款正在演示的产品实际上早在11月就已经发布了,但事实上,这并不是一款真正的新产品。但它有一些新的东西。

Xsens早在2004- 2005年就开始了一个项目,即创造一种带有多个传感器的无线可穿戴身体套装,可以用来模拟身体的运动。他们在2008年发布了第一款产品;它主要被用作图形动画的工具。那时我也一直在使用<…阅读更多→“身体运动追踪:旧即是新”

直观的检测

一年多以前,我对他大发雷霆直观的设计.现在,对于那些想要离开的人,我不会再重复那个咆哮了。至少,不是直接的。但是在最近的Touch Gesture Motion会议上的一个评论让我思考(总是一件危险的事情),并从中得出了一个新的推论。

演讲者指出,今天的手机是如此直观,他18个月大的孩子可以使用它们,而且,在……阅读更多→“检测直观”

方位传感器

我们现在在IMU领域有了一个新的类别:博世Sensortec宣布了第一个他们称之为特定应用传感器节点(assn)的产品。他们将这种特殊的设备称为绝对方向传感器。它看起来非常像一体机传感器中枢,带有加速度计、陀螺仪、磁力计和32位arm微控制器(来源未披露)。

不同之处在于,传感器集线器本身让软件在微上执行,对用户来说非常开放……阅读更多→“方位传感器”

耐力的巨大提升

闪存会随着时间的推移而退化,因为氧化物会受损并失去保持电荷的能力。显然,众所周知,这种损伤可以被退火,但这需要时间和/或温度。你不能将芯片加热到400°C以上,所以你必须退火几分钟才能获得标称结果。

正如在一篇IEDM论文中所描述的那样,Macronix修改了他们的电池,允许在电池附近有大电流。通过运行几毫秒的电流,可以产生超过800°C的局部加热。这导致了超过100,000,000…阅读更多→“极大的耐力提升”

IEDM的锗

人们对在pfet中使用锗来改善CMOS逆变器中n通道和p通道器件之间的对称性很感兴趣。但将其与硅集成一直具有挑战性;至少,晶格界面上的缺陷对进展构成了重大障碍。

在IEDM上的论文中,有几篇以Ge积分和限制缺陷为特色的方法。

来自IBM、ST、Globalfoundries、Renesas和Soitec的团队设计了一种在极薄SOI (ETSOI)晶圆上的PMOS器件中创建统一SiGe通道的方法。...阅读更多→“IEDM中的锗”

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