EUV是人们一直谈论的话题很长一段时间,和有一长串的挑战让它工作。想象我惊讶的看着一个半导体西方会话和学习EUV实际上是在部署——警告——今天。让我想回去和找出问题和如何解决。
但让我们回到第二个,以确保每个人都在同一页上。我们一直使用可见光对光刻技术远远超过我们应该可以。我们已经揭露功能远远小于193 nm波长的紫外线用于暴露晶片,我们不应该能够做的事。
当然,我们演奏技巧来扩展这种技术的实现,在一定程度上通过使用浸在水中提高折射率和部分和面具模式——基本上pre-distorting占暴露这么小的特性的影响。
但我们到达极限的技巧。我们真正需要的东西到个位数的维度,,甚至在这之前,multiple-patterning成本将使EUV现在看起来比它看起来更便宜。传统的期望,更短的波长将我们暴露小特性——因此极端紫外线(EUV)。不幸的是,它不是简单的——事实上,这是工作解决EUV足够低匹配的193海里。
但面临的挑战之一。如果你在internet上搜索信息EUV技术,之后你会发现异议反对意见和问题上的问题,很可能会让你相信这一技术永不见天日。所以真的很难广场,随着半导体西方演讲我看到。
其中的一个演示Stefan玉木博士,副主任在Sematech光刻。因为他和其他谈判大多是针对那些密切关注事态发展,因此目前在这个问题上,我和玉木博士分别在会议上得到一个考虑宏观视角发生了什么。
有四个关键部件的EUV系统:
- 的EUV光源;
- 光学——也就是说,怎样的EUV光线传递到晶片;
- 面具;
- 和光刻胶。
这些问题,仍在工作。
源是明显的新组件,和当前的挑战可以归纳为一个词:权力。我们将看看如何生成EUV光在一个单独的后续文章中详细,但是我只想说,就目前而言,它的工作原理。它只是不工作“硬”足以让吞吐量需要大批量生产(在这个领域是一个重要的概念,它自己的TLA优点:HVM)。
接触晶片的一个“场”,在整个晶片,直到完全暴露。数量字段包含一些积分的骰子(因此没有重叠问题实际电路)。显然,更大的领域,可以暴露在最快的时间,你就会越快通过晶片。这需要力量。
光学是不同的EUV:因为这些波长的光被吸收,不是所有的指导是通过反射、折射。意义镜子而不是镜头。有“收藏家”,收集排放EUV辐射和主要目标。这或多或少的作品,目前没有特别一个路障。效率(收集尽可能多的光线),防止它分散需要持续关注,然而。
面具质量是一个大问题。事实上,有一段时间,只要有一种检查面具是一个障碍。克服的,在大多数情况下,我们现在在一个学习模式让面具质量需要它的地方。
这叶子抗拒。外套的卑微的笨蛋晶圆和保存曝光产生的印象。我不了解你,但是,对我来说,总是觉得抵制抵制抵制。这无法进一步从真相。
抵制设计承担的负担解决很多棘手的问题。其中一个是二次电子散射。问题是,EUV光子,根据定义,很兴奋当他们到达晶圆。兴奋是会传染的,影响了电子相互作用,这些电子在不同方向飞,直到他们终于平静下来,又让他规规矩矩的。
问题在于,电子停止的时候,他们已经走了,而远离他们开始的地方;这种“二次电子边境”完全螺丝企图暴露小的特性,也有利于线宽粗糙度(也得到了TLA:轻水反应堆;有时也称为直线边缘粗糙,或l)。抵抗中发挥作用的性质在这些电子走多远。
同样重要的是酸的扩散由EUV曝光。这需要有限的接触边缘锋利。
还有一个额外的问题与刚度的抗拒。作为功能萎缩,抵制层薄,否则你最终得到的这些高瘦条倾向于摔倒的抵制。目标2.5:1比例,但需要更好的刚度。
底线是,抵制需要分辨率之间取得平衡,灵敏度,和线宽粗糙度,这涉及到权衡在所有三个方向。我甚至看到一个引用一个所谓的“偏差系数”作为图的优点相结合的三个特征:
(半场)3*(轻水反应堆)2*敏感性
玩聚合物的大小,试图创建一个混合传统“化学放大抵抗”和无机抗拒(其中一些有更严格的分辨率为代价的敏感性),玩冷却器分布(“淬灭反应和中和产生的酸暴露),和优化等流程步骤冲洗和蚀刻步骤,轻水反应堆可能可以从4或5 nm,现在,约3。的角度来看,也是正在寻找1海里,所以有更多的工作要做。
所以,剩下所有这些问题,系统是如何被运?嗯,需要注意的是,他们测试系统,或多或少。非常昂贵的测试系统,可以肯定的是。传统上,晶圆厂将现有节点上提出一项新技术,学习如何做之前下一个节点部署技术。
内存制造商将能够使用这些东西。因为他们的规律和冗余的使用,他们可以比逻辑可以容忍一个不太成熟的过程。铸造厂可能跳上董事会下为了避免的成本实现多个模式。纯逻辑IDMs被认为加入共产党。
第一个生产工具预计2012年末或2013年初交付;有8 - 10单位秩序。信心既然高,问题依然存在,不再有任何特定的路障,仍然没有解决或没有主人。
所以,相反你会阅读在网上闲逛溜达的时候,它似乎EUV可能真正来到附近的一个工厂。
