位于加州圣克拉拉,4月5日2011——Kilopass科技有限公司半导体逻辑非易失性内存的领先供应商(NVM)的知识产权(IP)今天宣布,首次测试芯片上硅台积电28 nm High-K金属门(HKMG)表明Kilopass ' 2 t antifuse HKMG技术是可伸缩的。硅数据显示,现有2 t细胞hkmg 28日表现良好,可以扩展到22纳米。这一具有里程碑意义的测试演示了如何Kilopass专利antifuse NVM前沿技术可以迁移到CMOS逻辑流程。
“我们非常高兴2 t台积电28 nm HKMG antifuse硅结果的过程,”哈利说的菜肴,在Kilopass首席技术官。“testchip硅包含各种2 t细胞基本设备研究和细胞模型。结果表明,硅Kilopass ' 2 t HKMG技术具有良好的编程分布和没有观察到程序干扰行为。此外,门泄漏显著降低从之前的过程代这将有助于更好的阅读保证金和高传入的收益。”
Kilopass嵌入式NVM在标准CMOS实现没有任何额外的后端流程步骤。它是专为大规模生产的工艺性;它遵循铸造vlsi设计规则,利用标准提供的铸造设备,并且不需要额外的覆盖公差或过程控制。超过二十亿集成电路与Kilopass 2 t antifuse技术从0.18微米到40 nm运过来的消费者,汽车、手机、和模拟混合信号产品。在28 nm HKMG,结果表明硅Kilopass嵌入式NVM技术将继续实施在标准CMOS和规模与28 nm HKMG面积和权力的过程。
产品可用性
Kilopass XPM™和热情™内存IP台积电28 nm HKMG过程将在2011年下半年供许可。Kilopass已经开始为客户提供先进的信息与设计针对28 nm HKMG过程。
有关更多信息,联系info@kilopass.com。
关于Kilopass
Kilopass技术,Inc .嵌入式NVM知识产权领先供应商,利用标准CMOS逻辑流程提供一次性可编程(OTP)存储器。58专利授予或等待和800000多晶片从一打铸造厂和集成设备制造商(IDM) Kilopass拥有超过100用户的应用程序从存储固件和安全码校准数据和其他application-critical信息。公司总部位于圣克拉拉,加利福尼亚州的更多信息,请访问www.kilopass.com或电子邮件info@kilopass.com。
