相比先进光刻徘徊的时候,我有一个谈话Synopsys对此的汤姆渡轮的光刻技术的前沿焦点。
他向几个领域,其中许多反映现有概念的进展。紧凑的模型越来越少…嗯,紧凑与所谓的“严格”模型。给定数量的影响,Synopsys对此正在严格的模型来提高可预测性。
他们也取得进展DSA的支持以及减少面具写时间。有点不同的主题,然而,是逆光刻技术(ILT)。虽然不是新的,但也一直是计算密集型(读“昂贵”)用于商业用途。这是改变它的价值增长积极的节点,计算能力的提高。
一些背景:多年来,现在,我们已经和小装饰我们的面具特性(称为“辅助功能”,或房颤)永远不会打印。这很好,因为我们不希望他们在实际的面具。他们所做的是猴子的光穿过其他特性的面具的印刷版本或其他特性尖锐或少疯狂扭曲的光经过这些小尺寸。
这是光学邻近校正的领域,或OPC。算法通常经验:复杂的启发式基于我们知道工作和不工作是内置的算法搜索机会改善富达的面具。
但直到现在,有一个学术概念流传一段时间。暴露的过程晶片将面具模式转换为晶片的模式。你可以认为这是一个数学函数——我称之为E(暴露)。如果面具模式是M和由此产生的晶片模式W,那么W = E (M)。
这个想法是理想的W和工作向后开始找到相应的理想M——相当于找到的逆函数E(称之为E1)。然后M = E1(W)。这就像pre-equalization。
然而,有一些实际问题。有些部分E函数(包括照射剂量,焦点,光致抗蚀剂,开发、清洗,等等,等等)可能好理解从实用的角度来看,但不能够得到一个数学函数的点。
但这是另一件事:据纸从发光技术,2006年(公司自收购——我打赌你已经猜对了——2012年Synopsys对此),没有一个独特的逆的大肠从实用的角度来看,这是说,有不同的方法来装饰一个面具与这些猥亵的特性和本质上得到相同的结果。和一些解决方案可能更容易或难以生产。
所以这种核武器的想法一个E1。相反,您可以查看给定的晶片之间的差异模式W和理想所需的晶片模式——我们称之为W+。他们把这变成一个优化问题,最小化(W+- w),同时考虑到各种其他成本——比如易于制造。
至关重要的是,这是一种“基于像素”解决方法而不是优势,或者基于特征的方法。这显然扩大了可能的解决方案空间,结果可能不明显或者直观的——甚至有经验的得病的家伙。
此外,原来问题可以断裂,分布式计算可以站得住脚的解决方案。然而,这并不是说很容易,它仍然是一个熊。所以他们只针对最具挑战性的几何图形,将它集成到通用OPC流,仍使用旧的方法。
Synopsys对此的方法是
- 使用之前进行OPC优化基于规则的辅助功能(RBAF)
- 使用教师在单元级别OPC收敛问题
- OPC后使用教师应对任何热点。
你会看到这在soi和下面的节点;Synopsys对此有接近准备就绪。(我知道,你可能会认为10海里是一个黄金时间,但发展这些节点的工作人员需要能够创建面具…)
