普利茅斯，英国- 2012年2月7日- Plessey公司收购了CamGaN有限公司，CamGaN是剑桥大学的分支机构，旨在商业化在大面积硅衬底上生长氮化镓(GaN)高亮度led的新技术。此次收购将使Plessey能够利用其在英国普利茅斯的6英寸加工工厂的协同效应，生产基于CamGaN专有的6英寸GaN-on-silicon技术的HB led。该公司认为，此次收购使其成为第一批成功生产6英寸硅基片上HB led的商业参与者。

新收购的Plessey HB LED解决方案能够在标准的、易于获得的硅衬底上增长薄HB LED结构。目前的技术使用碳化硅(SiC)或蓝宝石衬底，这是昂贵的，难以扩大规模。Plessey的硅基gan解决方案与在SiC或蓝宝石上生长的led相比，通过:(i)降低废物率，(ii)最大限度地减少批处理时间，(iii)实现自动化半导体加工设备的使用，可降低80%的成本。这些成本的降低将在今年晚些时候实现输出超过150流明/瓦的同时实现，这一组合将使Plessey提供HB LED行业中最具成本效益的解决方案。

Plessey董事总经理Michael LeGoff评论道:“HB LED照明代表了家用、建筑、医疗和汽车照明的未来。实现高效率和亮度的目标是节能、固态照明快速部署的关键。这项英国新技术提供了成本和性能优势，将朝着用HB LED灯取代白炽灯和荧光灯迈出改变游戏规则的一步。”

Plessey首席工程师John Ellis博士在评论Plessey新技术的重要性时表示:“迄今为止，阻碍大面积硅衬底上生长的HB led商业化的最大技术挑战是GaN和硅之间的巨大晶格不匹配。Plessey新的GaN-on-silicon工艺克服了这一挑战，我们的专业知识与使用自动化6英寸加工设备的内在成本节约相结合，将使Plessey的HB LED照明产品处于行业前沿。”

剑桥氮化镓中心主任、皇家研究所实验物理学教授、GaN-on-silicon技术的联合发明人Colin Humphreys教授爵士补充道:“剑桥的每个人都很高兴能与Plessey这样致力于在英国开发GaN-on-silicon技术的公司合作。这项技术是过去十年大量研发投资的产物，在Plessey的商业开发计划具有巨大的潜力。为家庭、医疗、汽车和其他应用开发价格合理的智能照明产品的机会，为对人们的生活产生积极影响提供了真正的机会。”

Plessey还宣布计划发布一系列智能照明概念产品，这些产品结合了Plessey现有的传感和控制技术，包括屡获殊荣的EPIC传感器。这些智能照明产品将实现智能能源管理、远程控制、可控调光和对环境条件的自动响应。

背景资料

Plessey的第一个蓝色LED样品的特点是在460纳米的峰值发射。这项技术可以扩展到其他发射波长，如青色和绿色。能够在光谱的蓝色端达到如此高的亮度，使荧光粉能够用于产生具有平衡光谱的白光，这对眼睛更好。白色输出功率150流明/瓦计划在2012年第四季度末。

关于普莱西半导体有限公司

Plessey半导体是开发和制造用于传感，测量和控制应用的半导体产品的领先专家。Plessey的产品广泛应用于通信、制造、医疗、国防、航空航天和汽车等领域。Plessey为高性能应用设计产品，其集成传感产品系列包括CMOS图像传感器，霍尔效应器件和屡获殊荣的EPIC电势传感器。这些产品都得益于Plessey的高精度、耐高温和耐辐射技术。

• 
• 
• 
• 
•