ST-EGREVE、法国- 3月14日,2013 - Nanoplas,全球半导体行业的等离子体处理设备供应商,今天宣布一个新的dry-etch过程提供几乎无限的刻蚀选择性去除介电薄膜在微处理器和记忆在高吞吐量。

下游蚀刻(ALDE Nanoplas的新原子层^®)处理允许腐蚀速率和选择性独立控制,它提供了几乎无限的选择性。基于公司的新的电感耦合等离子体(ICP)源,ALDE^®在晶圆片表面特征原子层控制水平。

“Nanoplas原子层下游蚀刻技术使一个新类20 nm plasma-based蚀刻和剥离过程的技术节点,“Gilles Baujon Nanoplas首席执行官说。“允许几乎无限的选择性,ALDE将缓解制造业下一代设备工程师面临的许多挑战,使他们达到更高的收益率,因为这个过程窗口将会越来越容易与现有的预处理和post-ALDE集成步骤。这是一个巨大的效益和司机IC制造业。带来新一代的设备到生产都有足够大的进程窗口生成高收益”。

ALDE^®定位来取代目前的湿和干燥的许多关键技术将合成间隔电影最先进的制作技术。

Nanoplas绿色科技公司致力于减少全球工业化学品的使用,期待着第一ALDE^®申请罪蚀刻在Q2。

关于Nanoplas

Nanoplas是半导体行业专业设备供应商纳电子学在小说等离子体过程解决方案。公司的高密度激进(HDRF通量^®MEMS)技术提供了先进的清洁技术、3 d tsv,电源ic, led和III-V化合物。其新ALDE^®专利技术提供了几乎无限的腐蚀速率选择性sub-20nm节点在CMOS工艺中的应用。两种技术都提供高效、低成本、绿色替代治疗硅片表面在下一代集成电路设备。公司的等离子处理工具所使用的主要微电子公司在北美,欧洲和亚洲。格勒诺布尔附近的公司是建立在St-Egreve,法国。

更多的信息可以在我们的网站,www.nanoplas.eu。

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