位于加州圣克拉拉,2014年7月7日——展示其在精密材料工程专业知识,应用材料公司今天宣布两个新系统,帮助客户解决制造业的关键挑战高性能、低功耗的3 d设备。应用反射^®路'™CMP系统提供优越的晶片抛光性能与纳米级精度FinFET和3 d NAND闪存应用程序。应用生产^®XP精度^™CVD系统解决了要求,基本沉积3 d NAND垂直架构提出的挑战。这些新的CMP *和CVD *工具直接解决精度、材料和缺陷问题,使三维设计到量产阶段。

“流动性推动的趋势需要复杂的3 d结构重大工程技术创新的需求,“Randhir Thakur博士说,执行副总裁和总经理的硅系统集团在应用材料。“整个光谱新技术和材料需要这些设计达到最优设备性能和高收益。多个客户采用我们今天推出的工具,展示我们的最新技术的价值转变他们的先进的3 d逻辑和内存设计成卷生产。”

CMP是一个关键的推动者FinFET门和楼梯结构的3 d NAND闪存。反射的路' CMP系统旨在解决这些新设备架构的严格的要求可能需要多达10个额外抛光步骤。以前所未有的六抛光站和八与先进的过程控制技术,综合清洗站路'工具支持添加CMP的步骤与精密加工,使客户能够改善薄片上性能和吞吐量。处理模块双打晶片吞吐量的增加对于许多应用程序,提供生产率提高100%。

独立能力利用每个波兰和清洗站给芯片制造商新层次的灵活定制抛光通过精确控制功能维度和减少缺陷。实时资料和端点控制技术包括路'系统提供within-wafer一致性和薄片可重复性,能满足未来的设备节点的要求。使用这些属性,路'系统控制FinFET门高度与纳米级均匀每死亡。这是至关重要的作为最小的门高度的变化影响设备性能和产量。厚膜层和广泛的3 d地形NAND需要长期,稳定的抛光剂,多个进程电台使稳定、可预测的整平。

3 d NAND闪存行业拐点还需要启用垂直栅形成和沉积技术复杂模式应用程序。生产者XP精密CVD系统支持的3 d NAND过渡提供必要的纳米级层膜厚度控制优秀CD *整个晶片均匀性。这种性能的关键是系统的专有设计和独特的能力来优化至关重要的参数,包括温度、等离子体和气体流量。为客户提供这种工程的灵活性支持不同的交替沉积高质量、低次品电影与异常压力控制和均匀within-wafer薄片层提高门性能,减少设备的变化。

为大批量生产,设计精度XP系统结合production-proven生产商CVD技术与效率更高,更快的处理室的技术。一个新的模块化大型机体系结构和高速协议进一步提高高通量密度和低拥有成本。提供戏剧性改善精度沉积,使可能的薄,优质材料模式和多层膜堆高效平台,XP精密系统支持3 d NAND继续扩展。

应用材料公司(纳斯达克:司马义)是全球领先的精密半导体材料工程解决方案、平板显示器和太阳能光伏产业。我们的技术帮助创新像智能手机,平板电视和太阳能电池板提供负担得起的和可以实现的,世界各地的消费者和企业。学习更多在www.appliedmaterials.com。

* CVD =化学汽相淀积;CMP =化学物质平面化;CD =临界尺寸

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