在SPIE Litho的最后，有一个有趣的演讲——它似乎让观众猝不及防，坦白地说，我离开的时候，感觉房间里有些混乱。

该报告讨论了在大阪大学进行的一项实验，该实验是优化EUV曝光的整体努力的一部分。这一切都与看似不可侵犯的“RLS”三要素有关:分辨率、LWR(线宽粗糙度)和灵敏度。这三个方面的改进必须以这三个方面的某些方面为代价——它们形成了一个零和游戏。

通常情况下，你通过掩模曝光光刻胶的整个曝光长度。光子在与抗蚀剂相互作用时产生酸，这种酸可在显影过程中选择性地去除抗蚀剂材料。

这个实验改变了这一点。曝光分为两个步骤:

• 通过面罩的短时间曝光
• 10-15分钟后，在没有掩膜的情况下，整个晶圆上只有大量的紫外线。

第一次曝光似乎产生了一些酸，但主要是“敏化”了光刻胶(坦白地说，从化学的角度来看，我并没有理解“敏化”是什么意思)。奇怪的是，第二次接触只在敏感区域产生了正常量的酸。

这提供了大约9倍于先前的灵敏度，在LWR或分辨率方面没有明显的权衡。

注意，没有使用特殊的阻力;这些是与目前使用的相同的电阻。

我没有感觉到他们真正掌握了潜在的机制是什么，这让观众感到惊讶。假设数据是正确的，这肯定是一个有趣的结果。我们必须看看它是否会有进一步的进展，或者它是否会像冷聚变那样……

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