2023年3月20日消息——Innoscience Technology公司成立，旨在创建基于高性能、低成本、氮化镓硅(GaN-on- si)电源解决方案的全球能源生态系统，今天推出了SolidGaN集成GaN器件新系列中的第一款。ISG3201是一个完整的半桥电路，包括两个100V 3.2mΩ InnoGaN hemt和所需的LGA封装中的驱动电路，尺寸仅为5×6.5×1.1mm。
Innoscience美国总经理兼高级副总裁孙毅解释说:“Innoscience现在为设计师提供了一种选择，一种是使用离散解决方案的终极灵活性，另一种是非常紧凑、使用简单、焊接和简化电源级布局的新集成方法。”
ISG3201 SolidGaN半桥包括两个100V 3.2mΩ e-mode GaN hemt，驱动器，驱动电阻，自举和Vcc电容器。它具有34A连续电流能力，零反向回收充电和超低电阻。由于高度集成，门环和功率环的寄生保持在1nH以下。因此，交换节点上的电压峰值被最小化。半桥GaN hemt的接通速度可以使用单个电阻调节。
ISG3201适用于高频Buck变换器，半桥或全桥变换器，D类音频放大器，LLC变换器和电源模块。总体而言，集成的ISG3201解决方案可在离散GaN设计上节省高达20%的PCB空间，在传统硅实现上节省73%的电路板空间。
Innoscience产品设计工程副总裁Pengju Kong博士补充道:“ISG3201半桥器件是SolidGaN集成gan解决方案系列中的第一款，Innoscience计划在今年推出，包括更多具有不同电压等级的半桥电路。Innoscience旨在为工程师提供他们想要的——集成解决方案或离散设备——使他们能够实现设计的最佳结果，最大限度地缩短开发时间并降低成本。”
关于Innoscience
Innoscience是一家集成设备制造商(IDM)，成立于2015年12月，由CMBI, ARM, SK和其他知名投资者投资。随着新技术的发展，世界各地的电网和电力电子系统正在经历大规模的变革。我们的愿景是通过高效、低成本的硅氮化镓(GaN-on-Si)电源解决方案创建一个能源生态系统。2017年11月，Innoscience首次在珠海建立了GaN-on-Si器件的量产8英寸晶圆生产线。为了满足快速增长的电力需求，创科科技于2020年9月在苏州开设了一家新工厂。作为领先的GaN技术提供商，Innoscience拥有1400多名员工和300多名研发专家，致力于提供高性能和高可靠性的GaN电源器件，可广泛应用于云计算、电动汽车(EV)和汽车、便携式设备、移动电话、充电器和适配器等各种应用。如需更多信息，请访问www.innoscience.com．
