Nexperia推出新的热插拔应用专用mosfet (asfet)， SOA - EEJournal的性能提高了一倍

奈梅亨，2022年11月18日:Nexperia今天，该公司推出了10款新的25 V和30 V完全优化的设备，扩展了其“用于热插拔和软启动的asfet”产品组合，将行业领先的增强安全工作区(SOA)性能与极低的RDS(on)相结合，使其非常适合用于12 V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。

多年来，Nexperia一直将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用理解相结合，开发市场领先的asfet，其中关键的MOSFET性能特征得到增强，以满足特定应用的要求。自asfet推出以来，针对电池隔离、直流电机控制、以太网供电、汽车安全气囊应用等进行优化的产品已经取得了成功。

在热插拔应用中，涌流会给可靠性带来挑战。Nexperia是增强型SOA mosfet的最初先驱，通过设计“用于热插拔和增强SOA软启动的asfet”组合来解决这一问题，这些产品完全针对此类应用进行了优化。PSMNR67-30YLE ASFET提供了比以前技术强2.2倍的SOA (12 V @100 mS)，同时RDS(on) (max)低至0.7 mΩ。Spirito效应(由在较高电压下SOA曲线上发现的更陡的向下斜率表示)已被消除，而在整个电压和温度范围内保持了优异的性能(与未优化的器件相比)。

Nexperia通过在125°C下充分表征这些新设备并提供热SOA数据曲线，进一步为设计人员提供支持，从而消除了对热降级设计的需要。

8个新设备(3个25 V和5个30 V)可在LFPAK56和LFPAK56E包中选择，RDS(on)范围从0.7 mΩ到2 mΩ，解决了大多数热插拔和软启动应用。另外两款25 V产品(RDS(on)更低，为0.5 mΩ)计划在未来几个月发布。

关于Nexperia

Nexperia是世界上所有电子设计所需的基本半导体和组件的大规模生产的领先专家。该公司广泛的产品组合包括二极管，双极晶体管，ESD保护器件，mosfet, GaN fet以及模拟和逻辑ic。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年出货超过1000亿件产品，符合汽车行业制定的严格标准。这些产品在工艺、尺寸、功率和性能方面被公认为效率基准，具有业界领先的小包装，节省了宝贵的能源和空间。

凭借数十年为世界领先企业提供产品的经验，Nexperia在亚洲、欧洲和美国拥有超过14,000名员工。Nexperia是Wingtech Technology Co.， Ltd. (600745.SS)的子公司，拥有广泛的知识产权组合，并通过了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001认证。