SAB MOSFET董事会平衡高电压通过革命低功耗泄漏电流调节——EEJournal超级电容器

加州森尼维尔市,2017年12月04——高级线性设备公司。(ALD),模拟半导体设计创新领袖,今天宣布一个高压电容器平衡印刷电路板(pcb)设计自动控制漏电流,提高可靠性应用程序中使用的数据中心,工业自动化,公用事业和交通系统。

ALD SABMB810028董事会由ALD810028SCLI SAB mosfet为2.8伏特提供平衡(V), 3.0 V和3.3 V超级电容器安排在一系列平衡堆栈的每个细胞的泄漏电流。ALD SAB MOSFET数组用于每个董事会提供行业最可伸缩的、低能耗的解决方案。此外,场效电晶体平衡每个单元通过低水平的泄漏电流没有暴露在超级电容器充电/放电电压水平细胞3000法拉(F)或者更多。

“新更高电压超级电容器被介绍给解决数据中心的能源存储需求和工业自动化要求高可靠性要求很高标准备用电源系统,”Robert曹国伟说,总裁和创始人,先进的线性设备公司。“这些木板平衡提供了理想的平台高电压超级电容器通过低压、低泄漏和低电流控制方法在小和可伸缩的形式。”

ALD SABMB810028boards额定为-40 c + 85 c和可用以下电压等级:

2.8 v与一个微安(µA)当前操作;
3 v 100µa操作电流;
3.3 v 1000µa(1毫安)操作电流。

在许多情况下,当前操作是等价的超级电容器的漏电流的大小。

为超级电容器过电压是失败的主要原因。设计工程师需要平衡所有超级电容器细胞在一堆两个或两个以上的过电压。ALD的SAB MOSFET (s)安装在董事会发挥至关重要的作用,防止过电压,以及董事会启用系统工程师测试,评估、原型或输入产量。ALD SAB MOSFET技术提供了一个优越的其他被动或主动平衡电路设计方案通过优越的成本和设计空间选择超级电容器漏电流。

董事会可伸缩以满足日益增长的应用多个超级电容器单元模块来满足能源高电压系统的存储需求。工程师希望满足新的700伏系统的需要,例如,可以安排64 ALD SABMB810028董事会一起确保安全电压平衡。

ALD SAB MOSFET董事会允许超级电容器电池充电和放电电流直接通过细胞自身,绕过SAB场效应管安装在接近于零的董事会更多的泄漏电流,一个更好的选择其他的方法,所使用的额外功耗电路远远超过了超级电容器能量消耗由漏电流引起的。

SABMB810028板是专为易用性作为超级电容器的即插即用PCB 0.1法拉(F)到3000 F。平均额外功耗由于超级电容器直流泄漏为零,这使得这种超级电容器的方法平衡高度节能,适合低损耗能量收获和寿命电池操作的应用程序。

产品可以直接下令从退化或从网上订购分销商DigiKey或逮老鼠。价格从30.17美元每个董事会要求的卷。董事会。

关于线性设备先进,公司先进的线性设备,Inc . (ALD)是一种设计创新领袖模拟半导体专业开发和制造精度CMOS线性集成电路,包括模拟开关、a / D转换器和芯片组,电压比较器、运算放大器、能量收集系统,模拟计时器,和传统的和精密的拉德芳斯区区域开发公司MOSFET晶体管。更多信息关于高级线性设备访问www.aldinc.com。