纳米线是一种多年生IEDM话题,今年也不例外。特别是三篇论文被确认为脱颖而出。
其中一个与努力工作锗为pFETs混合。这样的工作都是关于流动性,麻省理工学院的一个小组完成两次biaxially-strained平面Si的流动。这是通过使用biaxially-strained锗然后使用电子束光刻图案到电线,横向应变的放松。结果不是单轴应变,但不对称。高频振荡器2是用作high-κ介质,也作为一个腐蚀停止当纳米线形成以及通用电气/电介质界面钝化。
与此同时,普渡大学的一个小组调查III-V纳米线场效应电晶体使用InGaAs。他们用20海里纳米线,实际上是一个三明治0.53遗传算法0.47在之间0.65遗传算法0.35至于高流动性和低界面缺陷密度。
他们三个不同门栈。其中两个使用0.5海里2O3和4海里LaAlO3,但有一个扭转的顺序栈相比;这是WN包围。测试结束* 1.2海里。另“堆栈”仅仅是3.5海里2O3(和WN);它有一个1.7 nm的测试结束。
由此产生的结构表现出阈下的斜率(SS) 63 mV / 12月和7 DIBL mV / V;我在是一个强大的0.63 mA /µm和g米是1.74 /µm女士。党卫军和g米是最好的报道;短沟道效应可以忽略不计。
最后,一个团队在瑞士联邦理工学院洛桑(EPFL)尝试与双极性纳米线结构-设备可以实时切换表现为n型和p型。这个项目视为烦恼传统时,杠杆现象通过创建一个“堆栈”四个纳米线垂直(使用即可),然后形成两个门。线的中心是“标准”控制门;联系两端附近的源极和漏极是极性的大门。
关键的事情是,所使用的电压来控制这两个门是大致相同的。这将创建使用盖茨的潜在逻辑设计,自然函数XOR门(使用的回声MRAM单元XOR门)。这是建议使用XOR门代替逆变器/ NAND和盖茨可以减少所需的资源,虽然很明显的基本逻辑数学变化由于不同的原始功能。
如果你有诉讼,麻省理工学院论文# 16.5;欧洲职业足球联盟普渡纸是# 27.6,纸是8.4 #。(是的,我知道,所有不同的会话…事情如何分组IEDM仍是一个谜,但似乎为他们工作…)
氧化*传输结束“等效厚度。“high-κ材料的想法是提供“反应性,“如果你愿意,一层超薄的SiO2没有所有的电子隧穿,因为它太薄。所以你得到一层较厚的材料徒像一层SiO2薄带结束。这允许将不同材料的厚度SiO“正常化”2等效厚度。
