集成电路互连应该做两件事:为电子提供了路径与尽可能少的阻力,确保不同的路径不相互作用。第一个是关于金属,第二金属线之间的介质。

低阻金属铜是一个很好的,但是你不能简单地把铜在硅或扩散。所以你必须首先放下一个阻挡层,某种阻止铜的金属直接接触硅。然后你需要一个种子层,使铜坚持沉积时的障碍,从那里成长。

到目前为止,我们一直在使用助教和谭障碍,约16海里。一本厚厚的金属栈,这不是一个问题。障碍本身可能没有最低的阻力,但当它是一个小比例的栈,与铜占大部分,然后,在大多数情况下,你没有注意到。

问题是,铜越来越薄,障碍不是。这意味着阻力是铜的百分比下降。这表明需要一个新的障碍,可以做的更薄(推迟算总账的日子)。

作为讨论相关的重合与西方Imec的技术论坛和半导体,Imec发现4-nm锰层可以减少阻力40半场线45%,表明这可能是一个好下一步。这并不是一个确定的交易,因为他们还没有证明的可靠性,也没有完成其他职责需要新材料到制造流程;这些努力正在进行中。

与此同时,在介质方面,low-Κ电介质获取低Κ他们多孔和嵌入碳。问题是,在一个腐蚀周期,腐蚀剂开始侵入毛孔,去除碳。完成后的边缘氧化的大片,可能不会有明显的效果。但在薄带金属线之间的氧化,它应该是什么low-Κ行变成normal-Κ线。

为了探索会发生什么,如果腐蚀操作是在非常低的温度下,Imec在低温条件下做了一些实验。正如所料,离子迁移率下降,消耗放缓,但意外发生影响:一些阻挡层开发氧化,保护它的腐蚀剂。他们不确定这一障碍包括什么。

他们也不知道温度使效果。如果真的需要低温条件,那么很有可能将会投入生产成本太高。但如果简单地降低温度更容易会造成的影响,那么我们可能有一些有趣的追求。

问题是,Imec说,这是唯一解决腐蚀问题正在研究。如果它不工作,那么我们回到广场1。很明显,他们的手指交叉。

你可以找到更多关于他们的金属中宣布一个版本和他们的介质中宣布另一个。

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