韩国首尔12月29日消息——玛格纳奇普半导体公司(“玛格纳奇普”)(纽约证券交易所:MX)今天宣布，该公司推出了第八代150V MXT金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)1，优化用于轻型电动汽车(LEV)电机控制器和电池管理系统(bms)。gydF4y2Ba

当涉及到电力消耗和产品稳定性时，能源效率在电气设备中起着至关重要的作用。这款新发布的MOSFET (MDT15N054PTRH)具有Magnachip的第八代沟槽MOSFET技术，以降低RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}^2gydF4y2Ba与上一代相比，下降了28%。基于核心单元和终端的改进设计，可以获得较高的性能值，并可以避免总栅电荷3的增加。gydF4y2Ba

MDT15N054PTRH可用于表面贴装器件to - less (TOLL)封装，以减小产品尺寸并改善散热。在实现高功率密度的同时，快速开关也显著提高了能源效率。此外，从-55°C到175°C的保证工作结温度和高水平的雪崩耐用性帮助新型MXT MOSFET超过了LEV电机控制器和bms的性能要求。gydF4y2Ba

Magnachip首席执行官YJ Kim表示:“从2008年开始，我们已经发布了40多种用于电机控制器和电池管理系统的MOSFET产品，自2017年以来，其中大多数产品都是为LEV应用而制造的。”“作为高性能mosfet的供应商，Magnachip将继续提供满足市场复杂要求的创新解决方案。”gydF4y2Ba

产品特性gydF4y2Ba

• 低的RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}开关损耗gydF4y2Ba
• 散热性能好gydF4y2Ba
• 保证工作结温从-55°C到175°CgydF4y2Ba
• 广泛的应用，如LEV电机控制器和bms以及各种消费电子产品的开关模式电源gydF4y2Ba

1 MXT MOSFET (Magnachip eXtreme Trench MOSFET): Magnachip的尖端产品组合gydF4y2Ba

沟槽mosfet，包括中低电压mosfetgydF4y2Ba

2 RgydF4y2Ba_{DS(上)gydF4y2Ba}:在电阻上，过程中mosfet的漏极和源极之间的电阻值gydF4y2Ba

使用状态操作gydF4y2Ba

3登机口总费用(QgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba):注入栅极以使其转动所需的电荷量gydF4y2Ba

开启(驱动)MOSFETgydF4y2Ba

关于玛格纳奇普半导体gydF4y2Ba

Magnachip是一家模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计者和制造商，适用于通信、物联网、消费、计算、工业和汽车应用。公司为全球客户提供广泛的标准产品。Magnachip拥有超过40年的运营历史，拥有约1100项注册专利和正在申请的专利组合，并拥有广泛的工程、设计和制造工艺专业知识。如需更多信息，请访问gydF4y2Bawww.magnachip.comgydF4y2Ba．在Magnachip网站上或通过该网站可访问的信息不属于本新闻稿的一部分，也不包含在本新闻稿中。gydF4y2Ba

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