拉斯维加斯- 2023年1月3日-智能电源和传感技术的领导者onsemi(纳斯达克代码:ON)今天推出了“EliteSiC”作为其碳化硅(SiC)家族的名称。本周，该公司将展示该家族的三个新成员——1700 V精英MOSFET和两个1700 V雪崩级精英肖特基二极管消费电子展(消费电子展)在拉斯维加斯举行。新器件为能源基础设施和工业驱动应用提供了可靠、高效的性能，并突出了onsemi作为工业碳化硅解决方案的领导者的地位。

采用1700v elite MOSFET (NTH4L028N170M1)， onsemi提供更高击穿电压(BV) SiC解决方案，满足大功率工业应用的需求。两个1700v雪崩级elite ic肖特基二极管(NDSH25170A，NDSH10170A)使设计人员能够在高温下实现稳定的高压运行，同时提供由SiC实现的高效率。

onsemi电力解决方案集团执行副总裁兼总经理Simon Keeton表示:“通过提供一流的效率和降低功耗，新的1700 V EliteSiC器件加强了我们的EliteSiC系列产品的卓越性能和质量的高标准，并进一步扩展了onsemi的EliteSiC的深度和广度。”“凭借我们端到端的碳化硅制造能力，onsemi提供技术和供应保障，以满足工业能源基础设施和工业驱动供应商的需求。”

可再生能源应用不断向更高电压的太阳能系统转移，从1100 V直流母线到1500 V直流母线。为了支持这一变化，客户需要具有更高BV的mosfet。新型1700 V EliteSiC MOSFET提供-15 V/25 V的最大Vgs范围，适用于门电压增加到-10V的快速开关应用，提供更高的系统可靠性。

在1200 V 40安培的测试条件下，1700 V elite MOSFET实现了200 nC的门电荷(Qg)，与接近300 nC的等效竞争器件相比，这是市场领先的。低Qg对于在快速切换、大功率可再生能源应用中实现高效率至关重要。

在BV额定值为1700 V时，EliteSiC肖特基二极管器件在二极管的最大反向电压(VRRM)和峰值重复反向电压之间提供了改进的余量。新器件还提供了出色的反向泄漏性能，最大反向电流(IR)在25°C时仅为40 μ a，在175°C时仅为100 μ a，明显优于通常在25°C时额定为100 μ a的竞争器件。

了解更多关于半精英ic解决方案onsemi.com或在1月5日至8日在内华达州拉斯维加斯举行的CES 2023上访问我们。

关于onsemi
onsemi(纳斯达克股票代码:ON)正在推动颠覆性创新，以帮助建设更美好的未来。该公司专注于汽车和工业终端市场，正在加速汽车电气化和安全、可持续能源电网、工业自动化以及5G和云基础设施等大趋势的变化。Onsemi提供高度差异化和创新的产品组合，提供智能电源和传感技术，解决世界上最复杂的挑战，并引领创造一个更安全，更清洁，更智能的世界。onsemi是公认的财富500强公司，并被纳入标准普尔500指数。了解更多关于onsemi atwww.onsemi.com．

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