近年来，紧凑型设备的复杂性和功率要求不断提高，导致电池体积更大，减少了安装组件的可用空间。同时，电池的尺寸是有限制的，因此为了确保更有效地使用电池功率，安装组件的功率损失必须最小化。
为了满足这一需求，开发晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的mosfet，有助于在保持必要特性的同时实现更大的小型化，正在成为行业的主流。ROHM利用其作为IC制造商的优势，显著降低了传统离散工艺增加的布线电阻。其结果是一个紧凑的功率MOSFET，提供低功率损耗。
的RA1C030LD采用DSN1006-3晶圆级芯片尺寸封装(1.0mm × 0.6mm)，利用ROHM的专利IC工艺实现低功耗和更大的小型化。在表示导通和开关损耗之间关系的性能指标(ON电阻× Qgd)方面，实现了行业领先的值，在相同封装(1.0mm × 0.6mm或更小)中比标准封装产品低20%，有助于显著减小电路板面积，同时在各种紧凑器件中具有更高的效率。同时，ROHM独特的包装结构为侧壁提供绝缘保护(不像同一包装中的标准产品没有保护)。这降低了由于空间限制而必须采用高密度安装的紧凑型设备中组件之间接触而导致短路的风险，有助于更安全的操作。
展望未来，ROHM将继续开发更小封装尺寸的ON电阻更低的产品，通过提高各种紧凑型器件的效率，有助于解决环境保护等社会问题。
产品规格
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应用实例
- 可听设备(例如，无线耳塞)
- 可穿戴设备(如智能手表、智能眼镜、运动相机)
- 智能手机
- 也适用于各种薄、紧凑的开关器件
可用性
附件
