半导体技术变得越来越古怪,古怪的特征尺寸缩小。在现实生活中,这意味着EDA工具工作越来越难弄清楚发生了什么,并帮助工程师实现非常复杂的设计。像往常一样,这个问题可以归结为那些没有使用成为一个重要问题。

当然,在极其微小的水平预期等技术碳纳米管,事情完全改变。但这仍然是研究。前沿的设计今天仍然使用“常规”处理,但做一个真正的设计工作并不容易。

根据节奏,三星向他们寻求帮助,在28 nm;节奏然后使用三星作为引导客户解决实际问题,为下一个节点,运行测试晶圆和测量结果调整工具。虽然不同晶圆厂将有点不同,这给他们的建模结构,可以定制的,所以他们没有Samsung-only结果。

有两个主题贯穿他们的改进,他们是典型的事情发生在EDA在过去的一两年。首先是简单的(虽然这可能是一个好选择的单词)改善模型考虑到以前的影响可以忽略不计。

第二在于曾经批的元素分析后设计完成并将它们转移到设计循环本身减少迭代次数。例如,而不是运行一个批寄生提取工艺布局完成后,可以使用提取发动机在布局问题可以发现实时校正而设计正在进行中。

威尔伯罗,抑扬顿挫的硅实现集团产品营销总监,概述了三个领域确定了设计问题;这些问题集中他们的工具改进的努力。地区光刻过程检查(LPC),化学-机械抛光(CMP),和layout-dependent效果(LDE)。

主LPC的问题我们已经讨论过:模式匹配。设计规则已变得过于复杂的管理由老式的设计规则,和基于模型的方法过于缓慢,除了设备和单元测试。模式匹配是现在打跨步禁止布局的一个重要方式,会损害(或直接杀死)产量。这允许更大的灵活性对于规则,需要包含复杂几何和空间方面的考虑。

事实上,有许多必须的管理模式。节奏为铸造厂提供了一个工具,让他们分类模式,分组相似的。作为一个给定的过程变得更加成熟,任何正在进行的学习可以工作到什么本质上是一个活的图书馆的模式。此外,设计自己的房子可以学习一些技巧,他们不想与他们的竞争对手,所以他们可以包括自己的专有模式相当于一个私人图书馆的角落。

模式匹配可以运行现场设计被创造出来。当然,这对于定制设计最重要,因为可以立即使用的排版设计的反馈。但是自动地点和路线也可以利用它:大概每个单元将干净,但是,作为细胞聚集在一起,你仍然必须设法避免在边缘不可行的影响。

CMP带来一套单独的问题,特别是铜层变得更薄。CMP住宿需要很长一段时间因为晶圆研磨过程不发生均匀。建模CMP已经从假设垫uncompressible,只磨点高,更复杂的模型,考虑材料的各种图示利率损失不同部分的死磨所得和垫和“消耗品”(即。,泥浆)使用。

使用CMP对铜氧化物层之间以及在“波纹”过程中,在铜氧化槽依偎像精致的镶嵌槽。尤其是铜CMP,你有一个薄铜数量的问题。磨削过程本身是不均匀,晶片的甚至不开始完全平意味着你面对小疙瘩和山谷规模远小于研磨垫的宽度。

正如我们讨论的前阵子、金属填充用于减少巨大的金属布局密度的变化,但这还需要进一步的优化。节奏允许分析初始填充到位之后为了调整填充和饲料寄生回仿真,以便CMP纳入性能计算的影响。

这种分析可以做在一块的设计,而不是等待完整芯片组装。这个工具将需要远在100µm仪表金属密度;芯片平面布置图允许将相邻块包括在分析中。当然,这不会是最后,直到所有的块都在最后擦洗。

LDE问题与周边电路的影响,彼此相关,是否对。再一次,标准电池的内部结构可以手工修改,直到所有是极好的,但这些细胞最终将与其他细胞,这就是可能出现意想不到的问题。这个概念并不新鲜,在40 nm节点开始,但互动的类型和水平继续增长。从历史上看,细胞已经over-spaced只是为了保持安全,但由此产生的区域处罚变得不可接受的,因此,EDA工具需要正面的问题。

自定义设计,您可以运行分析,识别问题和back-annotate结果香料。与模式匹配,你不能越过块边界平面布置图的设计,但是你可以做假设试验探索不同的方式来解决问题,因为解决一件事可能会引入一些新的东西。

数字设计,一些细胞可能一起玩不好。所以你可以将它们标记为不允许相邻(你也可以标记它们允许)。此外,砂矿可以翻转细胞或添加间隔器减少交互。

总而言之,这是一个混杂的问题,和确定其优先级通过三星的合作。但他们期望这些关键问题的28 nm节点更普遍;中使用的参数和系数模型将调整为每个工厂。他们希望将足够灵活以适应的问题还会出现,事情变得古怪的下一个节点。虽然他们肯定不会知道,直到他们开始运行测试很多其他铸造。

照片(详细):丹尼斯·贾维斯Flickr /

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