之前我们也讨论过宽禁带材料氮化镓和碳化硅等,但这些材料的基晶片是如何形成的呢?完整的晶片昂贵的材料,贵。但是如果你增长或词缀基材一些其他类型的材料,你有热的风险问题的边界(至少)。

住友和Soitec宣布最近联合的方法,提供了一个氮化镓层之上的其他衬底。关键是这是甘热匹配衬底。当然,当我问材料的性质,我发现正是这种神秘物质似乎是共同的大量项目:材料被称为“专有”。

上面的方法创建甘这需要一个页面基数Soitec如何创建SOI晶片,SmartCut过程。如果你以前没有听说过,它很有趣。这个概念是,在这种情况下,住友发送纯氮化镓晶片。Soitec提供了基础和切掉薄薄的一层氮化镓晶片并黏贴到基地。一个氮化镓晶片切片很多次,最终服务大量的实际使用晶片,拉伸氮化镓材料会。

所以你可能会想,你怎么切薄层?他们所做的事情:首先他们氢植入的氮化镓晶片的厚度层他们想切断,然后把这个薄片颠倒,词缀晶片,所以现在你有两个晶片粘合在一起面对面的。

然后他们使用热创建泡沫层氢在哪里;这将导致开裂沿着接缝,氮化镓晶片来了,大部分只留下的薄层新基材。一点的擦洗和你就好了。

之前他们做过2”晶片;他们的最近宣布表明扩展到4“6”晶片。你可以找到他们释放。

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