我们以前见过,有机晶体管的方法主要集中在p型晶体管。尽管n型材料变得更可用,有机CMOS还不普遍。
globalfoundries纸,imec提到一个无机薄膜晶体管(TFT),利用金属氧化物(我想调用这些MOxFETs)。我们将会有更多的故事在另一个帖子;然而,在此之前,我想了解更多关于这些MOxFETs是什么。
事实证明,金属氧化物日前已经工作一段时间,但几个处理变异,限制其使用。真空溅射,收益最好的流动性(> 10厘米2/ Vs)成本和限制电路的大小;材料为基础的解决方案更有前途的,因为它们可以在“环境”条件下沉积在一个更大的底物。
但仍然有一个问题:这些设备必须退火的温度在- 350°C和较高,限制使用的材料,这些材料可能被处理。所以imec的贡献是一个indium-based可以在250°C退火的解决方案。这让他们存款这东西灵活的基质。虽然不是执行以及气急败坏的电影,他们仍然取得了移动超过2厘米2/ Vs。
正如n型有机设备离开了我需要的东西,所以金属氧化物p型设备不是那么好——更好的材料和更广泛的处理窗口是必要的。但可以使用无机与有机p型n型构建互补电路。
这个过程始于门接触和艾尔2O3high-K门底部的堆栈,然后将金属氧化物层,与金属的源/漏接触。然后放下并五苯有机薄膜,联系相同的金属层从上面的源和下水道。
更多细节可以发现在他们的论文中,“低温和可伸缩薄膜技术基于solution-processed互补金属氧化物n-TFTs并五苯p-TFTs”发表在有机电子在去年的8/26。
