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模拟整个过程

讨论的时候CMOS-compatible MEMS我从Coventor简要提及了一些工具,用于MEMS设计。但是其中一个有使用任何半导体过程。你可能会认为这是另一个TCAD工具,但事实上,它不是。

TCAD工具与底层物理模型的整体过程的一小部分。就像使用香料来模拟细胞——非常详细,但不能用于整个电路。同样,你通常不会TCAD工具运行整个过程从开始到结束。

这是什么Coventor SEMulator3D的。向上的一层,可用于动画-字面上的整个过程建立一个晶体管或其他设备。他们使用“压”——3 d相当于一个像素。双方体素的大小,其中有2 - 4内的最小特征尺寸。每个立体像素包括材料的属性信息,可以混合和梯度,这样没有借口的体积只有一个材料组成。

整个过程的步骤,体素添加(如沉积),修改或者删除操作(例如,植入),(例如,腐蚀)。可以模仿一些化学相互作用(例如,如果您最终腐蚀的东西你没有目的);一些不能(例如,如果铜在裸露的硅,导致电迁移)。所有的影响都与实际的硅。

过程描述的输入工具独立于给定电路的布局,你可以开发一个“回归套件”的布局。当你想考虑一个变化过程,你就可以把它应用在套件是否导致的任何问题。它甚至可以支持布局包含成千上万的晶体管。

最近的消息是,他们已经发布了一个64位版本。这允许更大的领域是模拟,或者使用小体素——重要维度继续萎缩。

你可以找到他们释放

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