据说,陪审团听了证据,审议,并呈现一个结论:未来FinFETs。尽管其他一些人试图保持相关。

但是…当你认为已经解决了和受影响的各方可以实现关闭,这一决定提起上诉。这个特殊的吸引力来自启动SuVolta。他们有不同的方法来解决世界上晶体管的问题,它不需要第三维度。

帮助把这个视角,让我们备份和审查的性质问题迫使我们之外的东西的比例为过去的几十年里我们一直在做。

很难想象,但晶体管和电路填充工作。(“工作”“把事情做好”的意义上说,不是的,“嘿,这一作品,船!“意义。)为了聚集的能量来做这工作,他们要吃了。他们做的更多的工作,需要更多的能量,所以他们吃。

这意味着在一块硅和告诉它做更多的工作比以前需要它吃很多,除非你能找到一种方法使它更有效率,能做更多的工作没有进一步加强其胃口。当然,这已经占据了最大的份额过程发展在过去的几年里。它不再是使事情更快;而是让晶体管在移动它们更加努力向更多的饥饿节食。

我们已经完成,通过降低电压水平和盖茨萎缩。低电压水平意味着你正在接近阈值,但是,即使你把门槛一点,你还有这个“阈下斜坡”问题——如何坚定的晶体管关闭当你低于阈值?通常,答案是,“不是很坚定。”

好的,所以你想设计。但它变得更糟。英吉利海峡地区的掺杂是通过爆破一堆原子掺杂剂与相当于硅原子蠢材。原子的数量?嗯,会有所不同。如果你将数百万甚至只是成千上万的原子,然后一个或两个或多或少不重要;这是mice-nu…嗯…噪音。

但是当你只植入一个打两个原子?现在,“±1”中也能感觉到。,除非你会找到一个方法来注入原子为精确计数一次(这样做的方式不让生产爬),你必须接受这一事实通道掺杂会有所不同。所以你必须guardband设计捕捉到最坏的情况下。

所以与FinFETs关键概念的一部分,除了得到更好地控制通道的通过大门,周围几乎是消除掺杂的通道。没有兴奋剂?没有波动。这些统计数据的一个有趣的事情:一个及以上近似;0是恰当的。(好吧,不包括任何垃圾已经在硅)。

哪一种会让你重新思考为什么我们甚至掺杂渠道首先如果没有它,我们就知道了:V的目的是建立一个理想的_T。没有掺杂也意味着没有阈值控制。所以,根据SuVolta杰夫•刘易斯公司偷偷地开始做一些兴奋剂FinFET鳍调整阈值。Shhhhhh…

所以FinFET渠道解决随机掺杂剂波动问题(除非你又开始添加掺杂物)。原始的门,然后,FinFETs应该更少的变化。除了这一事实鳍自己改变很多竣工几何——这就是为什么单晶体管通常会使用多个鳍平均出这些变化。

SuVolta公司解决这个问题的一个不同的方法:他们有自己的新晶体管。很有胆量的:不是每一天,一个从根本上不同的晶体管结构给出了一个商业运行的钱。

他们不能做自己;它不像他们会只是匆匆的集市出售晶体管(“你想炸的吗?”)。他们必须得到IDMs和铸造厂签字。这需要时间和耐心。FinFETs已经英特尔作为赞助商,铸造厂与自己的FinFETs紧随其后,尽管两节点后。即使没有铸造厂,英特尔单干,如果他们想要的奢侈品;SuVolta无法。

这是什么新设备,他们平下来这样一个艰难的道路?这不是一个3 d晶体管;看起来仍然是平面,并将在其广泛的中风的人用来“标准”晶体管。诀窍是,他们使用一个纯的通道,同时仍然允许对阈值电压的控制。

它们的结构,他们称之为“deeply-depleted频道”晶体管,如下所示。它由三层组成:掺杂沟道本身;一层设置阈值;和“筛选”层,它提供了一种控制耗尽区边缘。下面有一层,用来隔离装置,防止击穿现象。

礼貌SuVolta

特别注意,中间无掺杂层之间的过渡是很锋利的。如果阈值设置和筛选区域只是植入,很难想象你会得到好,锋利的边缘。你可能会因此认为好,锋利的边缘更方便的图形艺术家绘画。但事实上,它是植入,是夏普:无掺杂层外延生长后移植完成。隔离沟后减少通道。

V_T——调节植入是您控制阈值的地方。设计采用晶体管和许多不同的V_T年代仅仅通过选择性屏蔽晶体管和使用不同的面具,植入每个V_T。理论上,看起来,你可以没有限制的数量不同V_T可用。

得到一个纯的频道(顺便说一下,不仅消除了掺杂剂的变化,但也提高了流动性没有所有这些杂质)的方式,得到一种修剪你的阈值。

如果你觉得作为一个设计师特别积极,可以优化你的力量和性能back-biasing或body-biasing,尽管SuVolta强调设计师不需要使用back-biasing -它只是另一种工具,如果他们想要它。理想情况下,你想要的正向偏置时,晶体管是更好的性能;你想要一个反向偏压时,晶体管是去减少泄漏(n沟道设备;申请一个p沟道晶体管)相反。你可以决定一些折衷办法偏压水平优化之间的平衡性能和泄漏。

或者,你可以用他们所谓的“自适应”身体偏置。这可以用来纠正系统阈值的变化。如果一个特定的死有一个阈值偏离中心,然后,而不是把它扔掉或装箱更便宜的版本,你可以修剪它通过调整身体的偏见。这样tweakage将在测试完成。

对于真正的设计师,您可以实现他们所谓的“动态”身体偏置:改变它。在你得意忘形,我无法想象,很快周围的偏见可以翻转来匹配一个积极开关晶体管。但是,短的,如果你有一个核心或者其他块芯片,睡觉的,例如,你可以偏见块低泄漏。再次醒来的时候,你可以改变偏见的更好的性能。

此外,动态偏置可以用来纠正渐进变化阈值的设备。当然,这将是一个更复杂的电路,因为它会监控V_T然后设置一个合适的反偏压电压(这并不是简单的向前/向后数字决定)。但…这是可行的。(和现在超出大多数设计师在做什么。)

这就是他们的想法简单地说。简而言之的东西现在是几乎所有公开可用。他们在这一时期与晶圆厂的人信仰,并不是所有人想要公开承认他们在做什么。

例如,大多数的公共讨论任何具体涉及65 nm节点,这并不特别积极。热刺一个显而易见的问题,“这个东西?它是相关的,说,14海里?答案似乎是,“嗯…。请继续关注。”

这是要把FinFETs从块吗?嗯,SuVolta当然不会在他们的消息。毕竟,英特尔是英特尔。实际上他们自己的星球,所以现实表明,如果指望FinFETs英特尔,然后FinFETs发生。但是外面英特尔的DDC晶体管的挑战吗?

刘易斯先生表明,低功率的监护系统有特定的优势(或更好的性能对于一个给定的功率)或模拟,由于其优越的匹配能力。它还提供了更好的驱动电流,可能会做得更好在soc需要各种各样的晶体管。它比挑剔FinFET的不那么复杂。

FinFETs,另一方面,可能继续盛行high-performance-no-matter-what-the-power应用程序。尤其是英特尔建议行星。

SuVolta声称他们在与不同的公司的集成工作取得良好进展,即将公告。现在,我们必须相信他们的话,事情进展得很好。

换句话说,上诉法官审议。我们正在等待他们的裁决。

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