位于加州圣克拉拉,2011年5月4日,英特尔公司今天宣布一项重大突破在晶体管的发展,现代电子产品的微观基础。以来的第一次硅晶体管的发明在50年前,晶体管使用三维结构将进入量产阶段。英特尔将引入一个革命性的3 d晶体管设计称为三栅极,首次披露,英特尔在2002年进入大批量生产22纳米(纳米)节点的英特尔芯片代号为“常春藤桥。“纳米是一米的1000000000。
三维三栅极晶体管代表一个基本离开的二维平面晶体管结构动力不仅所有的电脑,手机和消费电子装备,也在汽车电子控制,航天器,家用电器,医疗设备和成千上万的其他日常设备几十年了。
“英特尔的科学家和工程师已经再次重新晶体管,这次利用第三维,”英特尔公司总裁兼首席执行官保罗•欧德宁说。“令人震惊、重塑世界的各种设备来将从这种能力当我们创建摩尔定律推进到新领域。”
科学家们早就认识到福利的三维结构维持摩尔定律的速度随着设备尺寸变得如此之小,物理定律成为发展的障碍。今天的突破的关键是英特尔利用其小说的能力3 d三栅极晶体管设计到大批量生产,进入了下一个时代的摩尔定律和打开大门的新一代创新跨广泛的设备。
摩尔定律是一个预估硅技术发展的步伐,大约每2年晶体管密度将增加一倍,同时增加了功能和性能和降低成本。它已成为半导体产业的基本商业模式40多年。
前所未有的电能节约和性能提升
英特尔的3 d三栅极晶体管使芯片工作在低电压较低的泄漏,提供前所未有的提高性能和能源效率比以前先进的晶体管。功能给芯片设计者灵活地选择晶体管针对低功率或高绩效,这取决于应用程序。
22纳米3 d三栅极晶体管在低电压提供高达37%的性能提升与英特尔的32 nm平面晶体管。这个难以置信的获得意味着他们非常适合在小型手持设备的操作使用更少的能源来来回“开关”。另外,新晶体管在同一时消耗不到一半的电能作为二维平面晶体管32 nm芯片性能。
“英特尔的独特的性能收益和电能节约3 d三栅极晶体管就像我们以前见过,”马克·波尔说英特尔高级研究员。“这个里程碑进一步比简单地跟上摩尔定律。低电压和低功耗的好处远远超过我们通常看到的从一个进程的一代。它会给产品设计师的灵活性使当前的设备更聪明和全新的可能。我们相信这个突破将进一步扩展英特尔的领先的半导体行业。”
持续创新的步伐——摩尔定律
晶体管继续变得更小,更便宜、更节能,按照摩尔定律——命名为英特尔创始人之一戈登·摩尔。因此,英特尔已经能够和集成创新,增加更多的功能和计算核心芯片,提高性能,降低制造成本/晶体管。
维持摩尔定律的发展变得更加复杂和22纳米的一代。预期,英特尔研究的科学家在2002年发明了他们所谓的三栅极晶体管,命名的大门的三面。今天的声明进一步遵循多年的发展在英特尔的高度协调research-development-manufacturing管道,并标志着这个工作的实现大批量生产。
3 d三栅极晶体管晶体管的再现。传统的“平”二维平面门被替换为一个非常薄的三维硅鳍从硅衬底垂直上升。电流控制是通过实现一个门的三方在每个鳍,两侧各两个,一个在顶部,而不是只有一个,与二维平面晶体管一样。额外的控制使尽可能多的晶体管电流晶体管时在“开”状态(性能),并尽可能接近于零,当它处于“关闭”状态(最小化),并允许晶体管之间迅速切换这两个州(再一次,对于性能)。
就像摩天大楼让城市规划者优化可用空间通过构建向上,英特尔的3 d三栅极晶体管密度结构提供了一种方法来管理。因为这些鳍在本质上是垂直的,晶体管可以紧紧挨在一起,一个关键组件的技术和经济效益摩尔定律。为子孙后代,设计师还能够继续增长的高度鳍来获得更多性能和节能收益。
“多年来,我们已经看到限制小的晶体管可以,”摩尔说。“这改变的基本结构是一个真正革命性的方法,应让摩尔定律,和创新的历史步伐,继续。”
世界上第一个示范22纳米三维三栅极晶体管
3 d三栅极晶体管将实现公司的制造过程,称为22 nm节点,在引用单个晶体管的尺寸特性。超过600万的22纳米三栅极晶体管可以适应周期结束时,这个句子。
今天,英特尔展示了世界上第一个22纳米微处理器代号为“常春藤桥,”在一台笔记本电脑,服务器和桌面计算机。艾薇Bridge-based英特尔®核心家庭™处理器将是第一大容量芯片使用3 d三栅极晶体管。艾薇桥定于今年年底准备大批量生产。
这种硅技术突破还将帮助交付更多的高度集成英特尔®Atom™处理器的产品规模的性能、功能和Intel®体系结构的软件兼容性,同时满足整体力量,成本和规模要求一系列的细分市场的需求。
对英特尔
英特尔(纳斯达克:INTC)在计算创新处于世界领先地位。该公司设计和构建关键技术,作为世界上的计算设备的基础。关于英特尔提供的额外信息newsroom.intel.com和blogs.intel.com。
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