格拉斯哥,苏格兰,2013年4月16日——黄金标准模拟(GSS)今天透露,统计可靠性和变异性的影响之间的相互作用可以影响20纳米CMOS存储器产量。研究还定义了一个新的可靠性仿真框架来预测变化和可靠性影响,提高产量。

中给出的结果纸共同撰写的GSS和格拉斯哥大学的国际物理设备造型组可靠性研讨会在蒙特雷,CA。

研究突出之间的交互的重要性被困收费和统计变化预测的晶体管和电路。它还描述了一个独特的发展的仿真框架和一组验证工具可以大大提高设计在先进的技术和产量预测。

根据这项研究,个体之间的相互作用被困指控随机离散掺杂物(抽样),线边缘粗糙度(l)和金属门粒度(“万人迷”女友)在20纳米CMOS晶体管导致广泛分散在晶体管特性和巨大的随机电报噪声(研制)振幅影响SRAM产量和可靠性。甚至一个俘获电子可以打扰SRAM存储单元中存储的信息。

今天介绍的新的模拟框架链接atomistic-scale晶体管可靠性仿真和电路级存储器模拟关注个人被困的交互与关键晶体管的可变性来源的指控。

新近发展起来的动力学蒙特卡罗(KMC)可靠性模拟引擎,嵌入在GSS加仑3 d原子论的模拟器,可以无缝的偏差的统计模拟温度不稳定(发言),随机电报噪声(研制和Trap-Assisted隧道(乙),所有这些都严重影响当代和未来的SRAM的可靠性和收益率。

新的KMC引擎处理的动态随机电荷捕获和de-trapping加仑的drift-diffusion仿真引擎。这允许精确的时间演化的物理建模偏差和晶体管退化与温度有关的统计数据。

结果然后转移到高度准确的荷载统计紧凑模型(使用GSS统计紧凑模型器神秘)。GSS RandomSpice统计电路模拟引擎对SRAM行为捕获统计可靠性的影响。这种高度准确的过程允许reliability-enhancing对策SRAM的设计过程中实现。

“背后的思想的研究不仅能够预测失败多次,但也增加。因此需要一种新的可靠性仿真框架能够转移预测原子论的模拟电路水平以提高设备和电路的可靠性,”阿森博士解释Asenov, CEO黄金标准模拟。

关于黄金标准模拟

黄金标准模拟是世界领导人在模拟的统计变化nano-CMOS设备。公司的服务包括统计变化的物理模拟、统计紧凑模型提取和统计电路模拟使用“按钮”基于集群技术。更多信息请访问http://www.GoldStandardSimulations.com。

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