- 最高容量:单个芯片上的存储容量可达1tb;多tb 3D堆叠
- 最低的力量:延长电池寿命，以周，月或年
- 最高的性能:比NAND快20倍
- 最简单的SOC集成:标准逻辑上的简单堆叠最先进节点上的CMOS
- 最可靠的:10倍NAND的续航能力;接近DRAM可靠性
圣克拉拉，加利福尼亚州- 2013年8月5日-今天从隐身模式中脱颖而出，纵横公司。这家初创公司开创了高容量和高性能的新类别非易失性内存，推出了它的Crossbar电阻式存储器(RRAM)技术．这新一代非易失性存储器将能够在一个200mm上存储高达1tb的数据2这种芯片可以在一个比邮票还小的集成电路中存储和播放大量的信息，比如250小时的高清电影。Crossbar今天也宣布它已经开发出了工作交叉存储器阵列在一家商业晶圆厂，这是新存储器技术发展的一个重要里程碑，标志着它准备开始产品化的第一阶段。
由于其简单的三层结构，Crossbar技术可以以3D方式堆叠，在单个芯片上提供多个tb的存储空间。它的简单性、可堆叠性和CMOS兼容性使逻辑和内存能够在最新的技术节点上轻松集成到单个芯片上，这是其他传统或替代非易失性内存技术所不具备的能力。
“非易失性存储器是无处不在的今天，作为存储技术的核心超过一个万亿美元的1从平板电脑和u盘到企业存储系统，”Crossbar, Inc.首席执行官George Minassian说，“然而，今天的非易失性存储器技术正在失去动力，当它们扩展到更小的制造流程时，遇到了重大障碍。通过我们的工作交叉阵列，我们已经实现了所有主要的技术里程碑，证明我们的RRAM技术易于制造，并准备商业化。这是非易失性存储器行业的分水岭时刻。”
与目前同类最好的芯片相比，Crossbar的技术将提供20倍快的写入性能，20倍低的功耗，以及10倍的续航能力快闪记忆体内存。凭借这种突破性的性能和可靠性、极高的容量和低功耗，Crossbar将为消费者、企业、移动、工业和连接设备应用带来新的电子创新浪潮。
非易失性存储器是最常用的存储技术，用于代码存储(也不)及资料储存(与非)在广泛的电子应用中。根据市场调查公司的调查Webfeet研究2到2016年，美国的非易失性存储器市场规模有望达到484亿美元。Crossbar计划向市场推出针对代码和数据存储进行优化的独立芯片解决方案，用于取代传统的NOR和NAND闪存。Crossbar还计划将其技术授权给系统芯片(SOC)开发人员，以集成到下一代SOC中。
的样本横杆技术应用:
消费电子产品，移动电话和平板电脑- - - - - -将你所有的个人娱乐、数据、照片和信息存储在一个可以放进口袋的设备中。提供非常快的存储，回放，备份和存档。
企业存储，ssd和云计算- - - - - -扩展SSD的可靠性和容量。提升企业、数据中心和云存储系统的性能。
物联网;〇产业互联网为智能电表和恒温器等工业和连接应用提供数年的电池寿命。广泛的温度范围允许可靠性在极端高温的夏季或寒冷的冬季。实现了全新的、高度集成的soc，可以通过按钮电池或从环境(如太阳能、热量或简单振动)中收集能量来供电。
可穿戴式电脑实现新一代可穿戴计算，以非常小、紧凑的尺寸和非常低的功耗实现高容量存储。
安全支付-可以永久存储安全应用所需的代码和加密密钥，例如大容量智能卡到用于非接触式支付的高端移动处理器。
工作记忆数组强调简单;商业化的准备
Crossbar存储单元基于三个简单的层:非金属底部电极，非晶硅开关介质和金属顶部电极。电阻开关机制是基于当两个电极之间施加电压时，开关材料中灯丝的形成。这种简单且非常可扩展的存储单元结构实现了一种全新的RRAM，可以轻松地集成到任何标准CMOS制造工厂的生产线后端。
在完成对Crossbar研发工厂的技术转移和技术分析和优化后，Crossbar现在已经成功地在一个商业工厂开发了其演示产品。该工作硅是一个完全集成的单片CMOS控制器和存储阵列芯片。该公司目前正在完成该器件的表征和优化，并计划将其首款产品推向嵌入式SOC市场
支持报价:
“RRAM被广泛认为是下一代存储器的明显领导者，而Crossbar是该公司最先进的，展示了一个工作演示，证明了RRAM的可制造性。这是该行业的一个重大发展，因为它为新存储技术的商业化提供了一条明确的道路，能够改变电子创新的未来格局。”
“一旦闪存达到扩展极限，内存市场就会寻求新的技术来接管。Crossbar在可制造ReRAM的开发方面取得了令人印象深刻的进展，极大地推动了这种流行的替代存储器的发展。”
“我们今天存储的90%的数据是在过去两年内创建的。数据的创建和即时访问已经成为现代体验中不可或缺的一部分，在可预见的未来，它将继续推动存储的大幅增长。然而，目前的存储介质，平面NAND，正面临挑战，因为它达到了较低的光刻，推动物理和工程极限。下一代非易失性存储器，如Crossbar的RRAM，将绕过这些限制，并提供成为替代存储器解决方案所需的性能和容量。”
“几年来，公司一直专注于开发下一代内存技术，与现有的非易失性内存相比，该技术将在可靠性、性能、低功耗操作和可扩展性方面取得显著改进。Forward Insights认为，RRAM，包括Crossbar的方法，由于其可扩展性和可制造性，有可能取代NAND闪存。随着工作演示阵列的实现，我们很高兴看到这项技术在未来的广泛应用中产生的影响，从移动和连接设备到存储和数据中心。”
“到目前为止，还没有可行的2D或3D NAND替代技术。像Crossbar的RRAM这样的存储级存储器有机会获得这个难以捉摸的NAND取代400多亿美元的奖金。Crossbar的工作RRAM技术阵列显示了重大的商业化进展。按照这一趋势发展下去，他们将以具有成本效益的交叉点、多层RRAM领先于3D NAND或3D RRAM竞争对手。”
“我们很高兴看到Crossbar实现了一个重要的行业里程碑，并在CMOS生产工厂生产了第一个工作阵列。我们离实现我们的目标又近了一步，即使用比传统闪存替代品更简单的单元结构，将一种全新的存储器商业化。Artiman很高兴能继续与Crossbar合作，为存储行业带来革命性的变化。”
支持资源:
关于Crossbar公司
Crossbar成立于2010年，是一家位于加州圣克拉拉的初创公司，是一种新型非易失性RRAM存储技术的发明者。旨在开创电子创新的新时代，Crossbar将在邮票大小的单芯片上提供高达TB的存储，具有非常低的功耗，非常高性能，并与标准CMOS半导体制造工艺兼容。作为密歇根大学阻性RAM (RRAM)专利的独家持有者，Crossbar已经申请了100项独特的专利，其中30项已经发布，涉及RRAM技术的开发、商业化和制造。Crossbar得到了Artiman Ventures、Kleiner Perkins Caufield & Byers和Northern Light Venture Capital的支持。更多信息，请访问www.crossbar-inc.com或者跟着我们推特@crossbarinc，LinkedIn而且谷歌+．
