“时间向一个方向移动,在另一个记忆。”——威廉·吉布森

记忆是不同于逻辑。我们学习在职业生涯早期,特别是如果工作需要制作一个或另一个。逻辑门的规模。记忆细胞比例,但不相同的方式。在极端的情况下,我们甚至做multi-chip模块或倒装芯片只是为了保持记忆和逻辑分开。英特尔使逻辑电路。SK海力士内存芯片。不同工厂的流程。不同的食谱。永远要分离。

除非…

如果我告诉你,逻辑和记忆是一样的?而不只是在某种意义上,一个触发器的一比特的“记忆”,只要继续的力量。我的意思是一个建立在一个逻辑过程的非易失存储器,与其余的逻辑。的晶体管,而不是专门的记忆细胞。一种非易失性CMOS晶体管。

的承诺铁电存储器公司德国公司开发了一种非易失性内存的技术制造晶体管逻辑一样,但是特别成分。(提示:在这里的名字。)

公司从德累斯顿技术大学的剥离,收购了一些资产现在奇梦达,这曾经是英飞凌的一部分,曾经是西门子的一部分。所以,历史悠久。在其短暂的一生,奇梦达达利克和闪存,但奇怪的是,非易失性技术的达利克,不闪光。该公司开发了一个氧化为其high-k金属门(HKMG)在一定条件下成为铁电的过程。公司提出两个基本专利但从未发现商业化。

那份工作降至铁电存储器公司(FMC),成立于2016年在奇梦达专利许可和从欧洲投资者筹集资金。它的秘密成分是氧化铪(高频振荡器2),这已经是常见的在逻辑学和记忆过程。有什么新发现材料有“之前意想不到的水晶阶段”,两种稳定状态的氧原子。此外,它很容易哄这些原子分为通过应用一个小电压状态。因为高频振荡器2已经用于半导体制造,它不会污染过程或添加许多奇怪的新措施。

最重要的是,你不需要制作专用的记忆细胞。您可以构建正常的晶体管,只是发生在非易失存储器细胞的两倍。融合这些FeFETs,呼吁铁电场效应晶体管。如果你非易失性FinFETs,你不得不称之为FeFinFETs。

FMC称其FeFETs规模以及正常逻辑晶体管,所以没有处罚混合你的记忆和逻辑上相同的死亡。你也可以直接把FeFETs逻辑门旁边,没有遮挡的区域或边界——这带来了一些有趣的可能性的内存位置。如果NVM没有隔离在大块,你自由混合不分青红皂白地与你的逻辑。

最初的迹象表明,FeFETs比传统快闪记忆,约为25 ns读和写。他们使用更少的电力。FeFET晶体管切换通过应用电压、电流,所以它使用更少的能量快闪记忆体,没有所谓的消除周期。

公司的计划是许可其技术铸造厂,不卖独立的内存芯片。这是迄今为止进行试验和两个铸造厂,GlobalFoundries,“一个著名的亚洲铸造”,它拒绝的名字。GloFo应该准备好向其客户提供FeFETs大约两年,融合数据。在消费者手中,产品在3 - 4年。应该是足够的时间来消除几个闪存。

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