一起工作的15年以来他们的婚姻在1947年,弗朗西丝和比尔Hugle积累所需的所有技术他们制造晶体管和集成电路。从他们的努力生产宝石斯图尔特实验室,他们开发的技术晶锭生长,退火这些锭,掺杂杂质。从他们的年发展光学编码器技术DH鲍德温钢琴公司,他们开发了半导体薄膜沉积技术,利用光刻图案电路板上的图像和光学磁盘。在西屋,1950年代末和1960年代初,他们参加洁净室开发和1950年代半导体制造业。在这一点上,他们拥有一切他们需要开始半导体制造公司,这正是他们所做的。事实上,在硅谷风格,他们开始两个或三个。
加州千橡市Hugles已经搬到1960年末帮助西屋设置其Astroelectronics实验室。实验室是西屋的分子电子学计划的一部分,美国空军和致力于发展小型电子元件被称为2月(电子功能块)是基于半导体,但不是完全ICs。Hugles获得的技能和知识在这一阶段的职业生涯促使他们开始计划的创建自己的半导体企业在1961年底或1962年初。
1962年3月,加州桑尼维尔弗朗西丝和比尔Hugle Siliconix成立。投资资本来自一位故友,DH鲍德温钢琴公司,加州电子工程公司和w·范-艾伦克拉克,Jr, Sippican公司。尽管Siliconix并未失去飞兆半导体公司,它从那里吸引员工和从其他几个早期的半导体制造商包括仙童、摩托罗拉、太平洋半导体Rheem,我们Semcor,德州仪器,西屋。迪克·李从德州仪器加入的邀请DH鲍德温钢琴公司,成为公司的总裁。就像往常一样与弗朗西丝和比尔Hugle之间的合资企业,弗朗西斯Hugle成为公司的研发主管。
值得注意的是,Siliconix专注于场效应晶体管制造在刚开始的时候。这种关注使Siliconix有别于其他半导体制造商,这都是生产双极型产品。然而与Hugles的前雇主,西屋,显然是在描述公司的发表在一本名为“研究与开发:小企业问题感兴趣的列表进行研究和发展,”1963年出版的由美国小企业管理局。这本书的描述Siliconix的活动:
“集成电路,分子和功能的电子模块,包括薄膜电路、多单元& electric-connected晶体管,&设备加工、单极场效应晶体管、薄膜晶体管、和隧道效应。小型多级thermos-electric冷却器&打光检测器。”
分子和功能电子模块”回忆西屋的独特的分子电子学的程序,在本系列文章的第3部分中讨论。只有西屋公司和美国空军使用的术语。
之前有许多技术障碍需要克服场效应晶体管可以可靠地生产。一篇文章所写的题为“MOS潮流开始滚动,”沃尔特·巴尼和发表在3月18日,1968年发行的电子杂志,引用了阿瑟·埃文斯被然后Siliconix首席工程师:
“在洛克希德电子有限公司的一项研究,Siliconix inc .)处理三个传统困难在构建可靠的金属氧化物半导体设备。他们在氧化物离子迁移,导致阈值电压大幅波动,偷偷泄漏路径在源极和漏极之间引起的离子氧化,氧化和穿刺引起的静电电压。
“Siliconix发现使用phosphorus-impregnated氧化物,覆盖后立即与金属栅氧化层形成,一步也由胃肠道(通用仪器,另一个早期的金属氧化物半导体半导体供应商),稳定的阈值电压。变化的几何图形,在一个案例中,源点,完全被一个圆形的门,消除偷偷漏;和建筑稳压二极管并联每门,这样被指控前的底物氧化电压足够大,穿刺,减少静电击穿。国家遇到后者问题,切换到100硅,具有较低的pn结击穿门和基材之间比111;pn结可以保护栅氧化层。”
看看公司的发展在其早期,最好看看专利授予弗朗西斯Hugle Siliconix期间:
超细法半导体制造、美国专利号US3165430A申请1月21日,1963年,1月12日,1965年
“我的离开完全完成精密提到摄影方法在处理设备最小尺寸是必需的。金属涂层是用来完成抵制函数,这是机械刻而不是逼真地暴露和发展。
“我发明的一个对象是提供一个半导体制造的精密程度,迄今为止一直不能得到的。”
半导体腐蚀和氧化过程、专利号US3258359A提交4月8日,1963年6月28日,1966年
“经过反复尝试完成腐蚀和氧化先后在相同的系统中,我发现如果水蒸气没有化学形成之前,组件在正在处理的半导体材料,所有的污染问题是消除我完成这个要求采用一种反向水煤气反应平衡。代替蒸汽的组件,因为它是在已知人工生产氢气体,蒸汽是由氢气和二氧化碳混合气体在半导体的表面,表面是维持在一个高温的炉。
“我发明的一个部件是完成两个内迄今为止不兼容的处理步骤。一个在半导体制造外壳。”
水平对齐结晶体管结构,专利号US3246214A,提交4月22日,1963年,授予1966年4月12日
“我已经能够形成新的结构元素之间的接口的水平处理。这是通过形成的基础两个掺杂浓度;轻掺杂在一个小和环形形状的一部分元素携带工作接口和高度掺杂元素的大配角也作为主要的半导体结构。实际上,工作水平结构处理的一部分,一个元素之间的关系,在高掺杂基本元素”的一部分。
流程制造业水平晶体管结构,专利号US3328214A, 4月22日,1963年6月27日,1967年
“一个过程形成一个晶体管水平处理元素。
“高导电性的身体形成一个支持基础。相对电导率的外延层上形成的身体,哪一层的外层部分,水平,形成收集器。面具是外延层下形成的,它提供了一个孔。支持基地的基础工作是结合扩散第一蒸汽通过孔径杂质。发射器的体积工作基地内形成扩散第二蒸汽通过相同的光圈和杂质通过停止第二扩散,以保留环形工作基地。”
这些专利表明,弗朗西斯Hugle是专注于发展个人在Siliconix晶体管结构和制造工艺。第一个设备生产和销售的Siliconix包括p沟道结型场效应晶体管、n沟道结型场效应晶体管,场效应管,场效应晶体管阵列,功率mosfet。该公司还推出了双1963年迪泰逻辑芯片。
威世开始购买大量Siliconix基本上股票在1998年和2005年收购整个公司。今天,公司的详细的早期历史在很大程度上已经消失了从当前威世Siliconix网站,但你仍然可以找到历史的碎片和一些勤奋的Web搜索。
虽然几乎没人会注意,Hugles开始另一个半导体公司大约在同一时间,他们Siliconix成立。公司,光电设备(OED), cd, CdSe, CdSSe光电池。这些产品很明显回声Hugles光电导体和光电光学编码器工作在DH鲍德温钢琴公司在1950年代。作为一个独立的公司,牛津英语词典是短暂的。基因Weckler, 1962年和1963年曾为公司产品开发工程师,负责开发、评估和应用族化合物复合光电导体的设备。加入牛津英语词典Weckler肖克利半导体公司工作过。他最终成为了CMOS图像传感器设计的先锋。在2013年,而接收异常从国际图像传感器协会终身成就奖,Weckler写道,牛津英语词典》是“资助下,而不是管理。“西格玛工具,一家专门从事薄膜加工、光电设备购买1963年11月,一个子公司,并吸收其光电管的产品线。
1962年开始,该公司今年3月,Hugles离开Siliconix到1963年底。他们立即成立了另一家半导体公司在森尼维耳市- Stewart-Warner微电路——弗朗西斯Hugle再次担任主任研究和工程。如果名称Stewart-Warner微电路看起来不熟悉,母公司Stewart-Warner熟悉汽车爱好者。Stewart-Warner芝加哥是一个历史悠久的汽车仪表盘仪表制造商。它的第一个产品是福特模型t公司的速度计开始电子部门到1950年代,这是一个军事和航空航天设备承包商。该公司还建立了收音机和电视。Stuart-Warner南风部门提供热交换器的登月舱降落在月球阿波罗太空任务。有很少的证据如何Hugles在硅谷与Stewart-Warner,但是比尔Hugle是一个持续的和充满活力的沟通者和交易撮合者,所以他似乎已经以某种方式与母公司。
从Siliconix Stewart-Warner微电路是完全不同的。而不是单个晶体管,Stewart-Warner专注于制造ICs:首先迪泰,然后TTL和发射极耦合逻辑。然而,Hugles的呆在Stewart-Warner微电路只有一段时间比他们留在Siliconix。1月26日,1966年电子杂志报道:
“Stewart-Warner corp .)改变它的一个子公司执行阵容,Stewart-Warner微电路,Inc .杰克·科菲以前Stewart-Warner电子产品部门,目前担任子公司的总经理和执行副总裁,和约翰·p·盖茨将成为工程和制造的经理。盖茨以前是仙童相机数字集成电路经理&仪器Corp .)的半导体业务。是威廉Hugle所取代,执行副总裁。他妻子的地位,弗朗西斯Hugle,工程和研究主任,仍在怀疑。”
当然,弗朗西斯Hugle后迅速离开她的丈夫在公司取代。如果你想知道为什么Hugles Stewart-Warner离开,似乎是一个分歧关于公司的基本方向,在一篇文章中所描述的标题为“令人担忧的IC,”出现在新闻页的9月4日,1967年版电子杂志没有署名的信贷:
“[Stewart-Warner微电路),另一方面,认为迪泰有更大的潜力,并放弃了TTL线在几个月前的管理重组。”
这是一个非常贫穷的决定在事后。TTL芯片迅速超越迪泰设备在市场上。这是难怪Hugles离开公司时,考虑到决策由母公司。
一年之后他们离开Stewart-Warner微电路,比尔Hugle发表了一篇全面的文章关于数字集成电路电脑设计杂志的年代1967年1月的问题,列出了他作为一个在桅顶特约编辑。这篇文章,题为“集成逻辑电路:一个比较评价”包括RTL信息,迪泰,TTL、发射极耦合逻辑,MOS数字集成电路从深层角度来看的人密切参与制造这些设备。本文讨论了每种类型的IC许多发展中国家的挑战在单个设备层面,当阅读它的时候,我有强烈的感觉,这是改编自一个内部Stewart-Warner微电路文档法案Hugle可以写在1960年代中期解释原因制造一个产品线,其中包括几个逻辑家庭。本文的结论是:
“没有一个集成逻辑电路形式优于所有其他所有的应用程序。对于每个应用程序,系统设计者应该分析的基本的权衡每个逻辑行。”
很明显,比尔Hugle倡导广泛的数字集成电路生产线和可能希望与该公司只关注迪泰部分。弗朗西斯Hugle离开Stewart-Warner微电路同时,安装所显示的约翰·p·盖茨(杰克)工程和生产经理杰克科菲接管公司的缰绳。Stewart-Warner微电路后来扭转迪泰决定,将提供一些双相情感和家庭以及掩模可编程晶体管和金属氧化物半导体逻辑门阵列在1970年代,但Hugles早就不见了。
根据杰克科菲的讣告,飞利浦电子收购Stewart-Warner微电路1978年,和从列表中这个名字迅速消退的半导体制造商,成为几乎消失在时间的迷雾中。你仍然可以找到ICs贴上Stewart-Warner芯片在eBay上出售。这些文物证明该公司曾经存在。
Hugles的退出Stewart-Warner在1965年底或1966年初也标志着与半导体制造公司的直接参与。虽然他们没有其他半导体制造商,成立离开Stewart-Warner微电路没有结束他们在半导体行业工作。这对夫妇决定停止生产芯片和开始使用多年积累的经验帮助其他公司生产,将在本系列的最后一篇文章中讨论死亡,政治和间谍的指控。
注意:这个弗朗西斯和比尔Hugle是稀疏的历史记录在互联网上,和本系列文章将不可能没有援助和帮助Hugles的孙子,杰克。鲁姆斯TechSearch的创始人,Jan Vardaman曾帮助创建一个IEEE奖学金项目的名义弗朗西斯Hugle,杰克提供一部分经费。鲁姆斯的母亲和弗朗西斯Hugle的女儿琳达Hugle。
引用
调查日本Kokan KK的功率半导体制造商,半导体产业集团。迪讯,1986年12月。
“MOS潮流开始滚动,”沃尔特·巴尼,电子杂志,3月18日,1968年,页173 - 187。
“令人担忧的IC电子杂志,9月4日,1967年,p . 23。
“集成逻辑电路:比较评估,”威廉·B Hugle电脑设计杂志,1967年1月,36-47页。
“研究与开发:小企业问题感兴趣的列表进行研究和发展,“美国小企业管理局,1963。
